Nachricht senden
Haus > produits > Verstärker IC bricht ab > Lincmose programmierbare Operationsverstärker mit geringem Stromverbrauch TLC271CDR

Lincmose programmierbare Operationsverstärker mit geringem Stromverbrauch TLC271CDR

fabricant:
Texas Instruments
Beschreibung:
Universeller Stromkreis 8-SOIC des Verstärker-1
Kategorie:
Verstärker IC bricht ab
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Versorgungs-Spannung, VDD:
18V
Differenziale Eingangsspannung, VID:
±VDD
Eingangsspannungsbereich, VI (irgendein Input):
– 0,3 V bis VDD
Eingangsstrom, II:
±5 MA
Ausgangsstrom, IO:
±30 MA
Lagertemperaturbereich:
– 65°C zu 150°C
Höhepunkt:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Einleitung

 

LinCMOSTMPROGRAMMIERBARE OP-VERSTÄRKER MIT NIEDRIGER LEISTUNG

 

*Eingangs-Offset-Spannungsdrift ...typischerweise

0,1 µV/Monat, einschließlich der ersten 30 Tage

*Großer Bereich an Versorgungsspannungen

Spezifizierter Temperaturbereich:

0°C bis 70°C ...3 V bis 16 V

–40°C bis 85°C ...4 V bis 16 V

–55°C bis 125°C ...5 V bis 16 V

*Einzelversorgungsbetrieb

*Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich

Erstreckt sich unterhalb der negativen Schiene (C-Suffix und

I-Suffix-Typen)

*Wenig Lärm ...25 nV/√Hz Typischerweise bei

f = 1 kHz (High-Bias-Modus)

*Ausgangsspannungsbereich einschließlich negativer Schiene

*Hohe Eingangsimpedanz...1012 Ω typ

*ESD-Schutzschaltung

*Small-Outline-Paketoption ebenfalls verfügbar

in Tape and Reel

*Integrierte Latch-Up-Immunität

 

Beschreibung

Der Operationsverstärker TLC271 kombiniert eine große Auswahl an Eingangs-Offset-Spannungsstufen mit geringer Offset-Spannungsdrift und hoher Eingangsimpedanz.Darüber hinaus bietet der TLC271 einen Bias-Select-Modus, der es dem Benutzer ermöglicht, die beste Kombination aus Verlustleistung und Wechselstromleistung für eine bestimmte Anwendung auszuwählen.Diese Geräte verwenden Silizium-Gate-LinCMOS von Texas InstrumentsTMTechnologie, die eine Offset-Spannungsstabilität bietet, die weit über die Stabilität herkömmlicher Metall-Gate-Prozesse hinausgeht.

 

GERÄTEMERKMALE

PARAMETER† BIAS-SELECT-MODUS EINHEIT
HOCH MITTEL NIEDRIG
PD 3375 525 50 µW
SR 3.6 0,4 0,03 V/µs
VN 25 32 68 nV/√Hz
B1 1.7 0,5 0,09 MHz
AVD 23 170 480 V/mV

Typisch bei VDD= 5 V, TA= 25°C

 

äquivalentes Schema

 

absolute Höchstwerte über der Betriebstemperatur der freien Luft

(wenn nicht anders angegeben)†

Versorgungsspannung, VDD(siehe Anmerkung 1) ...................................................18 V

Differenzeingangsspannung, VAUSWEIS(siehe Anmerkung 2) .......................................... ..±VDD

Eingangsspannungsbereich, VICH(beliebige Eingabe) ...........................................– 0,3 V bis VDD

Eingangsstrom, IICH.................................................................±5mA

Ausgangsstrom, IÖ..............................................................±30 mA

Dauer des Kurzschlussstroms bei (oder weniger) 25 °C (siehe Hinweis 3)...... ....................Unbegrenzt

Kontinuierliche Gesamtverlustleistung.....................................Siehe Verlustleistungstabelle

Betriebstemperatur der freien Luft, TA: C-Suffix.....................................,0 °C bis 70 °C

Ich suffixiere ....................................– 40°C bis 85°C

M-Suffix...................................– 55°C bis 125°C

Lagertemperaturbereich ...............................................– 65°C bis 150°C

Gehäusetemperatur für 60 Sekunden: FK-Paket.......................................260°C

Leitungstemperatur 1,6 mm (1/16 Zoll) vom Gehäuse für 10 Sekunden: D- oder P-Paket..............260°C

Bleitemperatur 1,6 mm (1/16 Zoll) vom Gehäuse für 60 Sekunden: JG-Paket.................300°C

 

† Belastungen, die über die unter „absolute Höchstwerte“ aufgeführten Werte hinausgehen, können zu dauerhaften Schäden am Gerät führen.Hierbei handelt es sich lediglich um Belastungswerte, und ein funktionsfähiger Betrieb des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die unter „empfohlenen Betriebsbedingungen“ angegebenen hinausgehen, ist nicht impliziert.Wenn das Gerät über einen längeren Zeitraum absoluten Maximalbedingungen ausgesetzt wird, kann dies die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen.

HINWEISE: 1. Alle Spannungswerte, mit Ausnahme der Differenzspannungen, beziehen sich auf die Netzwerkerde.

2. Differenzspannungen liegen bei IN+ gegenüber IN–.

3. Der Ausgang kann mit einer der beiden Versorgungen kurzgeschlossen sein.Um dies zu gewährleisten, müssen Temperatur und/oder Versorgungsspannungen begrenzt werden

dass die maximale Verlustleistung nicht überschritten wird (siehe Abschnitt „Anwendung“).

 

Tabelle der Verlustleistung

PAKET

TA≤ 25°C

LEISTUNGSBEWERTUNG

DERATING-FAKTOR

ÜBER TA= 25°C

TA= 70 °C Nennleistung

TA= 85°C

LEISTUNGSBEWERTUNG

TA= 125°C

LEISTUNGSBEWERTUNG

D 725 mW 5,8 mW/°C 464 mW 377 mW 145 mW
FK 1375 mW 11,0 mW/°C 880 mW 715 mW 275 mW
JG 1050 mW 8,4 mW/°C 672 mW 546 mW 210 mW
P 1000 mW 8,0 mW/°C 640 mW 520 mW 200 mW

      

Empfohlene Betriebsbedingungen

  C-SUFFIX Ich Suffixe M SUFFIX EINHEIT
MINIMAL MAXIMAL MINIMAL MAXIMAL MINIMAL MAXIMAL
Versorgungsspannung, VDD 3 16 4 16 5 16 V

Gleichtakt

Eingangsspannung VIC

VDD= 5 V –0,2 3,5 –0,2 3,5 0 3,5 V
VDD= 10 V –0,2 8,5 –0,2 8,5 0 8,5
Betriebstemperatur der freien Luft, TA 0 70 –40 85 –55 125 °C

 

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
Schiene-Zu-schienen-Input/Output Operationsverstärker IC LMC6482IMX/NOPB Cmos Doppel

Schiene-Zu-schienen-Input/Output Operationsverstärker IC LMC6482IMX/NOPB Cmos Doppel

CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
DRV602PWR-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

DRV602PWR-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
OPA335AIDR Elektronische IC-Chips CMOS-Betriebsverstärker

OPA335AIDR Elektronische IC-Chips CMOS-Betriebsverstärker

Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Anstiegsgeschwindigkeit OPA4228UA universelle des Verstärker-4 Stromkreis-14 SOIC 11 V/ΜS

Anstiegsgeschwindigkeit OPA4228UA universelle des Verstärker-4 Stromkreis-14 SOIC 11 V/ΜS

General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
TL082CP-integrierte Schaltung Chipjfet gab Operationsverstärker-hohe Anstiegsgeschwindigkeit ein

TL082CP-integrierte Schaltung Chipjfet gab Operationsverstärker-hohe Anstiegsgeschwindigkeit ein

J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
TAS5162DKDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TAS5162DKDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
TL062CDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TL062CDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände

J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
LM324N Neue und ursprüngliche Lagerbestände

LM324N Neue und ursprüngliche Lagerbestände

General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
10pcs