Lincmose programmierbare Operationsverstärker mit geringem Stromverbrauch TLC271CDR
electronics ic chip
,integrated circuit components
LinCMOSTMPROGRAMMIERBARE OP-VERSTÄRKER MIT NIEDRIGER LEISTUNG
*Eingangs-Offset-Spannungsdrift ...typischerweise
0,1 µV/Monat, einschließlich der ersten 30 Tage
*Großer Bereich an Versorgungsspannungen
Spezifizierter Temperaturbereich:
0°C bis 70°C ...3 V bis 16 V
–40°C bis 85°C ...4 V bis 16 V
–55°C bis 125°C ...5 V bis 16 V
*Einzelversorgungsbetrieb
*Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich
Erstreckt sich unterhalb der negativen Schiene (C-Suffix und
I-Suffix-Typen)
*Wenig Lärm ...25 nV/√Hz Typischerweise bei
f = 1 kHz (High-Bias-Modus)
*Ausgangsspannungsbereich einschließlich negativer Schiene
*Hohe Eingangsimpedanz...1012 Ω typ
*ESD-Schutzschaltung
*Small-Outline-Paketoption ebenfalls verfügbar
in Tape and Reel
*Integrierte Latch-Up-Immunität
Beschreibung
Der Operationsverstärker TLC271 kombiniert eine große Auswahl an Eingangs-Offset-Spannungsstufen mit geringer Offset-Spannungsdrift und hoher Eingangsimpedanz.Darüber hinaus bietet der TLC271 einen Bias-Select-Modus, der es dem Benutzer ermöglicht, die beste Kombination aus Verlustleistung und Wechselstromleistung für eine bestimmte Anwendung auszuwählen.Diese Geräte verwenden Silizium-Gate-LinCMOS von Texas InstrumentsTMTechnologie, die eine Offset-Spannungsstabilität bietet, die weit über die Stabilität herkömmlicher Metall-Gate-Prozesse hinausgeht.
GERÄTEMERKMALE
PARAMETER† | BIAS-SELECT-MODUS | EINHEIT | ||
HOCH | MITTEL | NIEDRIG | ||
PD | 3375 | 525 | 50 | µW |
SR | 3.6 | 0,4 | 0,03 | V/µs |
VN | 25 | 32 | 68 | nV/√Hz |
B1 | 1.7 | 0,5 | 0,09 | MHz |
AVD | 23 | 170 | 480 | V/mV |
†Typisch bei VDD= 5 V, TA= 25°C
äquivalentes Schema
absolute Höchstwerte über der Betriebstemperatur der freien Luft
(wenn nicht anders angegeben)†
Versorgungsspannung, VDD(siehe Anmerkung 1) ...................................................18 V
Differenzeingangsspannung, VAUSWEIS(siehe Anmerkung 2) .......................................... ..±VDD
Eingangsspannungsbereich, VICH(beliebige Eingabe) ...........................................– 0,3 V bis VDD
Eingangsstrom, IICH.................................................................±5mA
Ausgangsstrom, IÖ..............................................................±30 mA
Dauer des Kurzschlussstroms bei (oder weniger) 25 °C (siehe Hinweis 3)...... ....................Unbegrenzt
Kontinuierliche Gesamtverlustleistung.....................................Siehe Verlustleistungstabelle
Betriebstemperatur der freien Luft, TA: C-Suffix.....................................,0 °C bis 70 °C
Ich suffixiere ....................................– 40°C bis 85°C
M-Suffix...................................– 55°C bis 125°C
Lagertemperaturbereich ...............................................– 65°C bis 150°C
Gehäusetemperatur für 60 Sekunden: FK-Paket.......................................260°C
Leitungstemperatur 1,6 mm (1/16 Zoll) vom Gehäuse für 10 Sekunden: D- oder P-Paket..............260°C
Bleitemperatur 1,6 mm (1/16 Zoll) vom Gehäuse für 60 Sekunden: JG-Paket.................300°C
† Belastungen, die über die unter „absolute Höchstwerte“ aufgeführten Werte hinausgehen, können zu dauerhaften Schäden am Gerät führen.Hierbei handelt es sich lediglich um Belastungswerte, und ein funktionsfähiger Betrieb des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die unter „empfohlenen Betriebsbedingungen“ angegebenen hinausgehen, ist nicht impliziert.Wenn das Gerät über einen längeren Zeitraum absoluten Maximalbedingungen ausgesetzt wird, kann dies die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen.
HINWEISE: 1. Alle Spannungswerte, mit Ausnahme der Differenzspannungen, beziehen sich auf die Netzwerkerde.
2. Differenzspannungen liegen bei IN+ gegenüber IN–.
3. Der Ausgang kann mit einer der beiden Versorgungen kurzgeschlossen sein.Um dies zu gewährleisten, müssen Temperatur und/oder Versorgungsspannungen begrenzt werden
dass die maximale Verlustleistung nicht überschritten wird (siehe Abschnitt „Anwendung“).
Tabelle der Verlustleistung
PAKET |
TA≤ 25°C LEISTUNGSBEWERTUNG |
DERATING-FAKTOR ÜBER TA= 25°C |
TA= 70 °C Nennleistung |
TA= 85°C LEISTUNGSBEWERTUNG |
TA= 125°C LEISTUNGSBEWERTUNG |
D | 725 mW | 5,8 mW/°C | 464 mW | 377 mW | 145 mW |
FK | 1375 mW | 11,0 mW/°C | 880 mW | 715 mW | 275 mW |
JG | 1050 mW | 8,4 mW/°C | 672 mW | 546 mW | 210 mW |
P | 1000 mW | 8,0 mW/°C | 640 mW | 520 mW | 200 mW |
Empfohlene Betriebsbedingungen
C-SUFFIX | Ich Suffixe | M SUFFIX | EINHEIT | ||
MINIMAL MAXIMAL | MINIMAL MAXIMAL | MINIMAL MAXIMAL | |||
Versorgungsspannung, VDD | 3 16 | 4 16 | 5 16 | V | |
Gleichtakt Eingangsspannung VIC |
VDD= 5 V | –0,2 3,5 | –0,2 3,5 | 0 3,5 | V |
VDD= 10 V | –0,2 8,5 | –0,2 8,5 | 0 8,5 | ||
Betriebstemperatur der freien Luft, TA | 0 70 | –40 85 | –55 125 | °C |
Schiene-Zu-schienen-Input/Output Operationsverstärker IC LMC6482IMX/NOPB Cmos Doppel
DRV602PWR-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
OPA335AIDR Elektronische IC-Chips CMOS-Betriebsverstärker
Anstiegsgeschwindigkeit OPA4228UA universelle des Verstärker-4 Stromkreis-14 SOIC 11 V/ΜS
TL082CP-integrierte Schaltung Chipjfet gab Operationsverstärker-hohe Anstiegsgeschwindigkeit ein
TAS5162DKDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände
TL062CDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände
LM324N Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Schiene-Zu-schienen-Input/Output Operationsverstärker IC LMC6482IMX/NOPB Cmos Doppel |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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DRV602PWR-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
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OPA335AIDR Elektronische IC-Chips CMOS-Betriebsverstärker |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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Anstiegsgeschwindigkeit OPA4228UA universelle des Verstärker-4 Stromkreis-14 SOIC 11 V/ΜS |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
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TL082CP-integrierte Schaltung Chipjfet gab Operationsverstärker-hohe Anstiegsgeschwindigkeit ein |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
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TAS5162DKDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
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TL062CDR Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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LM324N Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
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