4N33 Integrierter Schaltkreischip, Leistungselektronikkomponenten PhotodarliCM GROUPon-Optokoppler
electronics ic chip
,integrated circuit components
4N33 Integrierter Schaltkreischip
PHOTODARLICM GROUPON OPTOKOPPLER
RoHS-Spitzenwert für die Reflow-Temperatur: 245 °C IEEE 802.3af/ANSI X3.263-konforme Leistung. Entwickelt für IP-Telefon- oder Switch-Anwendungen
LAGERLISTE
| CI SN74LS244N | TI | 64AH70K/5ACCLLK | DIP-20 |
| CI 74HC238D | 1640 | SOP-16 | |
| CI P8255A5 (nicht L8320146) | INTEL | L5171029 | DIP-40 |
| CI HEF4051BT | 1622+ | SOP-16 | |
| CI-SERIENNUMMER IBUTTON DS1990A-F5+ |
DALLAS | 1631 | TASTE |
| CI M27C2001-10F1 | ST | 1211K | CDIP 32 |
| TRANS IRF540NPBF | IR | P632D | TO-220 |
| TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
| CI MC908MR16CFUE | FREESCAL | 1341 | LQFP-64 |
| CI 74HC245DB,118 | 1619 | SSOP-20 | |
| CI MCP130T-315I/TT | MIKROCHIP | PLEP | SOT23-3 |
| DIODO RGF1M-E3/67A | VISHAY | RM/5B | SMA |
| CI 74HC244DB,118 | 1418 | SSOP-20 | |
| CI 74LVC139D | 1213 | SOP-16 | |
| CI LD1086V33 | ST | 829/833 | TO-220 |
| DIODO TPD4E001DBVR | TI | NFY5 | SOT23-6 |
| TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
| S5M-E3/57T | VISHAY | 1632/5M | SMC |
| DIODO LED VSLB3940 | VISHAY | 10+ | DIP-2 |
| MMBT3906LT1G | AN | 1642/2A | SOT-23 |
| DIODO BAS16LT1G | AUF SEMI | 1640/A6 | SOT-23 |
| MBR3045CTP | DIODEN | 1024 | TO-220 |
| GBU6M | VISHAY | 1510L | DIP-4 |
| GBU608 | SEP | 16+ | DIP-4 |
| SENSOR KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
| CI AD590KH | ANZEIGE | 1406 | CAN3 |
| CI ICL7660CBAZ | INTERSIL | V1608BA | SOP-8 |
| CI PC817C | SCHARF | H41 | DIP-4 |
| TRANS TIP127 (ROHS) | ST | 608 | TO-220 |
| OPTO 4N25M | FSC | 645Q |
DIP-6 |
Besonderheit
• Sehr hohes Stromübertragungsverhältnis, min. 500 %.
• Hoher Isolationswiderstand, typisch 1011 Ω
• Standard-DIP-Gehäuse aus Kunststoff
• Underwriters Lab-Datei Nr. E52744
• VDE-Zulassungen Nr. 0884
BESCHREIBUNG
Bei den Modellen 4N32 und 4N33 handelt es sich um optisch gekoppelte Isolatoren mit einer Galliumarsenid-Infrarot-LED und einem Silizium-PhotodarliCM GROUPon-Sensor.Das Schalten kann unter Beibehaltung eines hohen Grades an Isolierung zwischen Antriebs- und Lastkreisen erreicht werden.
Diese Optokoppler können als Ersatz für Reed- und Quecksilberrelais verwendet werden und bieten die Vorteile einer langen Lebensdauer, einer hohen Schaltgeschwindigkeit und der Eliminierung von Magnetfeldern.
Maximale Bewertungen
Emitter-Spitzensperrspannung ...................................3 V
Kontinuierlicher Vorwärtsstrom ........................60 mA
Verlustleistung bei 25°C........................100 mW
Lineare Leistungsreduzierung ab 55 °C....................1,33 mW/°C
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung des Detektors, BVCEO ..................................... ................ 30 V
Emitter-Basis-Durchbruchspannung, BVEBO ..................................... ................. 8V
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung, BVCBO ..................................... ............... 50 V
Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung, BVECO ..................................... ................. 5 V
Kollektor-(Last-)Strom...................................125 mA
Verlustleistung bei 25 °C Umgebungstemperatur ...........150 mW
Lineare Leistungsreduzierung ab 25 °C......................2,0 mW/°C
Gesamtverlustleistung des Pakets bei 25 °C Umgebungstemperatur ............250 mW
Lineare Leistungsreduzierung ab 25 °C......................3,3 mW/°C
Isolationsprüfspannung........................5300
VACRMS zwischen Emitter und Detektor, Standardklima: 23 °C/50 % relative Luftfeuchtigkeit,
DIN 50014 Leckageweg ...................................... 7 mm min.
Luftweg................................................. ... 7 mm min.
Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123
LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden
Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY
Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P
VO0630T Feldwirkungstransistor
Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207
Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand
Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T Feldwirkungstransistor |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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