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Mosfet-Transistor Schaltleistung NJW0302G ergänzender, NPN - PNP-Energie-bipolar Transistor

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VCEO:
250 VDC
VCBO:
250 VDC
VEBO:
5.0 Vdc
VCEX:
250 Vdc
IC:
15 30 Adc
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Ergänzende NPN-PNP Energie-bipolar Transistor

Diese ergänzenden Geräte sind Versionen der niedrigeren Energie des populären NJW3281G- und NJW1302G-Audioausgangs Transistoren. Mit überlegenen Gewinnlinearitäten und sicherer Geschäftsfeldleistung sind diese Transistoren für Audioverstärkerendstufen der hohen Wiedergabetreue und andere lineare Anwendungen ideal.

Eigenschaften

•Außergewöhnliches sicheres Geschäftsfeld

•NPN-/PNPgewinn, der innerhalb 10% von 50 MA an 3 A anpaßt

•Ausgezeichnete Gewinn-Linearitäten

•Hohes BVCEO

•Hochfrequenz

•Diese sind Pb-freie Geräte Bene

Nutzen

•Zuverlässige Leistung an den höheren Energien

•Symmetrische Eigenschaften in den ergänzenden Konfigurationen •Genaue Wiedergabe des Eingangssignals

•Größere Dynamikwerte

•Hoher Verstärker-Bandbreite App

MAXIMALLEISTUNGEN

Bewertung Symbol Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 250 VDC
Kollektor-Basis-Spannung VCBO 250 VDC
Emitter-Basis-Spannung VEBO 5,0 VDC
Kollektor-Emitter-Spannung - 1,5 V VCEX 250 VDC

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