Mosfet-Transistor Schaltleistung NJW0302G ergänzender, NPN - PNP-Energie-bipolar Transistor
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Ergänzende NPN-PNP Energie-bipolar Transistor
Diese ergänzenden Geräte sind Versionen der niedrigeren Energie des populären NJW3281G- und NJW1302G-Audioausgangs Transistoren. Mit überlegenen Gewinnlinearitäten und sicherer Geschäftsfeldleistung sind diese Transistoren für Audioverstärkerendstufen der hohen Wiedergabetreue und andere lineare Anwendungen ideal.
Eigenschaften
•Außergewöhnliches sicheres Geschäftsfeld
•NPN-/PNPgewinn, der innerhalb 10% von 50 MA an 3 A anpaßt
•Ausgezeichnete Gewinn-Linearitäten
•Hohes BVCEO
•Hochfrequenz
•Diese sind Pb-freie Geräte Bene
Nutzen
•Zuverlässige Leistung an den höheren Energien
•Symmetrische Eigenschaften in den ergänzenden Konfigurationen •Genaue Wiedergabe des Eingangssignals
•Größere Dynamikwerte
•Hoher Verstärker-Bandbreite App
MAXIMALLEISTUNGEN
Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | 250 | VDC |
Kollektor-Basis-Spannung | VCBO | 250 | VDC |
Emitter-Basis-Spannung | VEBO | 5,0 | VDC |
Kollektor-Emitter-Spannung - 1,5 V | VCEX | 250 | VDC |