IRF640NPBF Power Mosfet Transistor Allzweck-Mosfet HEXFET Power MOSFET
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Pulsed Drain Current:
72 A
Power Dissipation:
150 W
Linear Derating Factor:
1.0 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
247 mJ
Avalanche Current:
18 A
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
Array
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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