Plastik-ergänzender Energie DarliCM GROUPon mosfet, Silikon-Leistungstransistoren 2N6038
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Plastik-ergänzender Energie DarliCM GROUPon mosfet, Silikon-Leistungstransistoren 2N6038
Plastik-ergänzende Silikonleistungstransistoren DarliCM GROUPon sind für universellen Verstärker und low−speed zugeschaltete Anwendungen bestimmt.
• Hohe Gleichstromverstärkung — hFE = 2000 (Art) @ IC = ADC 2,0
• Kollektor-Emitter Stützungsspannung — @ mAdc 100
VCEO (Sus) = 60 VDC (Minute) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minute) — 2N6036, 2N6039
• Beeinflußte zweiter Zusammenbruch-gegenwärtige Vorwärtsfähigkeit IS/b = ADC 1,5 @ 25 VDC
• Monolithischer Bau mit eingebauten Grundsender-Widerständen zu LimitELeakage-Vermehrung
• Plastikpaket des Raumersparnis-hohes Leistung-zu-Kosten-Verhältnis-TO-225AA
Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
Collector−Emitter-Spannung 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
VDC |
Collector−Base-Spannung 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
VDC |
Emitter−Base-Spannung | VEBO | 5,0 | VDC |
Kollektorstrom Ununterbrochen Spitze |
IC |
4,0 8,0 |
ADC Apk |
Niedriger Strom | IB | 100 | mAdc |
Gesamtgerät-Ableitung @ TC = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
Gesamtgerät-Ableitung @ TC = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
1,5 12 |
W mW/°C |
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke | TJ, Tstg | – 65 bis +150 | °C |
Eigenschaft | Symbol | Maximal | Einheit |
Thermischer Widerstand, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Die Drücke, die Maximalleistungen übersteigen, schädigen möglicherweise das Gerät. Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen. Funktionsoperation über den empfohlenen Betriebsbedingungen wird nicht bedeutet. Verlängerte Aussetzung zu den Drücken über den empfohlenen Betriebsbedingungen beeinflußt möglicherweise Gerätzuverlässigkeit.
Eigenschaft | Symbol | Minute | Maximal | Einheit |
WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | ||||
Stützungsspannung Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (Sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
VDC |
Collector−Cutoff-Strom (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
MA |
Collector−Cutoff-Strom (VCE = 40 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
MA |
Collector−Cutoff-Strom (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
Emitter−Cutoff-Strom (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
AUF EIGENSCHAFTEN | ||||
Gleichstromverstärkung (IC = 0,5 ADC, VCE = 3,0 VDC) (IC = ADC 2,0, VCE = 3,0 VDC) (IC = ADC 4,0, VCE = 3,0 VDC) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
Collector−Emitter-Sättigungs-Spannung (IC = ADC 2,0, IB = mAdc 8,0) (IC = ADC 4,0, IB = mAdc 40) |
VCE (saß) |
-- -- |
2,0 3,0 |
VDC |
Base−Emitter-Sättigungs-Spannung (IC = ADC 4,0, IB = mAdc 40) |
VBE (saß) | -- | 4,0 | VDC |
Base−Emitter auf Spannung (IC = ADC 2,0, VCE = 3,0 VDC) |
VBE (an) | -- | 2,8 | VDC |
DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | ||||
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 ADC, VCE = 10 VDC, f = 1,0 MHZ) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
Ausgangskapazität (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 MHZ) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Pfeiler |
-- -- |
200 100 |
PF |
*Indicates JEDEC registrierten Daten.