Plastik-ergänzender Energie DarliCM GROUPon mosfet, Silikon-Leistungstransistoren 2N6038
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Plastik-ergänzender Energie DarliCM GROUPon mosfet, Silikon-Leistungstransistoren 2N6038
Plastik-ergänzende Silikonleistungstransistoren DarliCM GROUPon sind für universellen Verstärker und low−speed zugeschaltete Anwendungen bestimmt.
• Hohe Gleichstromverstärkung — hFE = 2000 (Art) @ IC = ADC 2,0
• Kollektor-Emitter Stützungsspannung — @ mAdc 100
VCEO (Sus) = 60 VDC (Minute) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minute) — 2N6036, 2N6039
• Beeinflußte zweiter Zusammenbruch-gegenwärtige Vorwärtsfähigkeit IS/b = ADC 1,5 @ 25 VDC
• Monolithischer Bau mit eingebauten Grundsender-Widerständen zu LimitELeakage-Vermehrung
• Plastikpaket des Raumersparnis-hohes Leistung-zu-Kosten-Verhältnis-TO-225AA
| Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
|
Collector−Emitter-Spannung 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
VDC |
|
Collector−Base-Spannung 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
VDC |
| Emitter−Base-Spannung | VEBO | 5,0 | VDC |
|
Kollektorstrom Ununterbrochen Spitze |
IC |
4,0 8,0 |
ADC Apk |
| Niedriger Strom | IB | 100 | mAdc |
|
Gesamtgerät-Ableitung @ TC = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
|
Gesamtgerät-Ableitung @ TC = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
1,5 12 |
W mW/°C |
| Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke | TJ, Tstg | – 65 bis +150 | °C |
| Eigenschaft | Symbol | Maximal | Einheit |
| Thermischer Widerstand, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Die Drücke, die Maximalleistungen übersteigen, schädigen möglicherweise das Gerät. Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen. Funktionsoperation über den empfohlenen Betriebsbedingungen wird nicht bedeutet. Verlängerte Aussetzung zu den Drücken über den empfohlenen Betriebsbedingungen beeinflußt möglicherweise Gerätzuverlässigkeit.
| Eigenschaft | Symbol | Minute | Maximal | Einheit |
| WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | ||||
|
Stützungsspannung Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (Sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
VDC |
|
Collector−Cutoff-Strom (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
MA |
|
Collector−Cutoff-Strom (VCE = 40 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (weg) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
MA |
|
Collector−Cutoff-Strom (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
| Emitter−Cutoff-Strom (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| AUF EIGENSCHAFTEN | ||||
|
Gleichstromverstärkung (IC = 0,5 ADC, VCE = 3,0 VDC) (IC = ADC 2,0, VCE = 3,0 VDC) (IC = ADC 4,0, VCE = 3,0 VDC) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
|
Collector−Emitter-Sättigungs-Spannung (IC = ADC 2,0, IB = mAdc 8,0) (IC = ADC 4,0, IB = mAdc 40) |
VCE (saß) |
-- -- |
2,0 3,0 |
VDC |
|
Base−Emitter-Sättigungs-Spannung (IC = ADC 4,0, IB = mAdc 40) |
VBE (saß) | -- | 4,0 | VDC |
|
Base−Emitter auf Spannung (IC = ADC 2,0, VCE = 3,0 VDC) |
VBE (an) | -- | 2,8 | VDC |
| DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | ||||
|
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 ADC, VCE = 10 VDC, f = 1,0 MHZ) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
|
Ausgangskapazität (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 MHZ) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Pfeiler |
-- -- |
200 100 |
PF |
*Indicates JEDEC registrierten Daten.
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC
