Universeller Transistor BC848B NPN
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector current:
100mA
Höchstkollektorstrom:
200mA
Peak base current:
200mA
Total power dissipation:
250mW
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
150°C
Storage temperature:
-65 to +150°C
Höhepunkt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Eigenschaften
• Niedriges gegenwärtiges (Maximum 100 MA).
• Niederspannung (Maximum 65 V).
Absolute Maximalleistungen Ta = 25°C
| Parameter | Symbol | BC846 | BC847 | BC848 | Einheit |
| Kollektor-Basis-Spannung | VCBO | 80 | 50 | 30 | V |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | 65 | 45 | 30 | V |
| Emitter-Basisspannung | VEBO | 6 | 6 | 5 | V |
| Kollektorstrom | IC | 100 | MA | ||
| Höchstkollektorstrom | ICM | 200 | MA | ||
| Niedriger Höchststrom | IBM | 200 | MA | ||
| Gesamtleistungsableitung * | Ptot | 250 | mW | ||
| Grenzschichttemperatur | Tj | 150 | °C | ||
| Lagertemperatur | Tstg | -65 bis +150 | °C | ||
| Funktionierende umgebende Temperatur | Ramb | -65 bis +150 | °C | ||
| Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem * | Rth-j-a | 500 | K/W | ||
* Transistor brachte an einer FR4 Leiterplatte, Standardabdruck an.
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