Universeller Transistor BC848B NPN
Spezifikationen
Collector current:
100mA
Höchstkollektorstrom:
200mA
Peak base current:
200mA
Total power dissipation:
250mW
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
150°C
Storage temperature:
-65 to +150°C
Höhepunkt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Eigenschaften
• Niedriges gegenwärtiges (Maximum 100 MA).
• Niederspannung (Maximum 65 V).
Absolute Maximalleistungen Ta = 25°C
Parameter | Symbol | BC846 | BC847 | BC848 | Einheit |
Kollektor-Basis-Spannung | VCBO | 80 | 50 | 30 | V |
Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | 65 | 45 | 30 | V |
Emitter-Basisspannung | VEBO | 6 | 6 | 5 | V |
Kollektorstrom | IC | 100 | MA | ||
Höchstkollektorstrom | ICM | 200 | MA | ||
Niedriger Höchststrom | IBM | 200 | MA | ||
Gesamtleistungsableitung * | Ptot | 250 | mW | ||
Grenzschichttemperatur | Tj | 150 | °C | ||
Lagertemperatur | Tstg | -65 bis +150 | °C | ||
Funktionierende umgebende Temperatur | Ramb | -65 bis +150 | °C | ||
Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem * | Rth-j-a | 500 | K/W |
* Transistor brachte an einer FR4 Leiterplatte, Standardabdruck an.
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