Neue u. ursprüngliche Leistungstransistoren des Silikon-PNP, TO-220C Paket 2SB861
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Leistungstransistoren 2SB861 des Silikon-PNP
BESCHREIBUNG
·Mit TO-220C Paket
·Ergänzung, zum von 2SD1138 zu schreiben
ANWENDUNGEN
·Niederfrequenzendverstärker-Farbe-Fernsehvertikaler Ablenkungsertrag
FESTSTECKEN
PIN | BESCHREIBUNG |
1 | Emitter |
2 |
Kollektor; angeschlossen an Befestigungsplatte |
3 | Basis |
Absolute Maximalleistungen (Ta=25? ℃)
SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | WERT | EINHEIT |
VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | Offener Emitter | -200 | V |
VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | Offene Basis | -150 | V |
VEBO | Emitter-Basisspannung | Open-Collector | -6 | V |
IC | Kollektorstrom | -2 | ||
ICP | Kollektor-gegenwärtigspitze | -5 | ||
PC | Kollektorverlustleistung | Ta =25? ℃ | 1,8 | W |
TC =25? ℃ | 30 | |||
Tj | Grenzschichttemperatur | 150 | ? ℃ | |
Tstg | Lagertemperatur | -45~150 | ? ℃ |
PAKET-ENTWURF
Entwurf Fig.2 bemisst (unindicated Toleranz: ±0.10 Millimeter)