Neue u. ursprüngliche Leistungstransistoren des Silikon-PNP, TO-220C Paket 2SB861
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector-base voltage:
-200 V
Collector-emitter voltage:
-150 V
Emitter-base voltage:
-6 V
Collector current:
-2 A
Collector current-Peak:
-5 A
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-45~150 ℃
Paket:
TO-220C Paket
Höhepunkt:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Einleitung
Leistungstransistoren 2SB861 des Silikon-PNP
BESCHREIBUNG
·Mit TO-220C Paket
·Ergänzung, zum von 2SD1138 zu schreiben
ANWENDUNGEN
·Niederfrequenzendverstärker-Farbe-Fernsehvertikaler Ablenkungsertrag
FESTSTECKEN
| PIN | BESCHREIBUNG |
| 1 | Emitter |
| 2 |
Kollektor; angeschlossen an Befestigungsplatte |
| 3 | Basis |
Absolute Maximalleistungen (Ta=25? ℃)
| SYMBOL | PARAMETER | BEDINGUNGEN | WERT | EINHEIT |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | Offener Emitter | -200 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | Offene Basis | -150 | V |
| VEBO | Emitter-Basisspannung | Open-Collector | -6 | V |
| IC | Kollektorstrom | -2 | ||
| ICP | Kollektor-gegenwärtigspitze | -5 | ||
| PC | Kollektorverlustleistung | Ta =25? ℃ | 1,8 | W |
| TC =25? ℃ | 30 | |||
| Tj | Grenzschichttemperatur | 150 | ? ℃ | |
| Tstg | Lagertemperatur | -45~150 | ? ℃ |
PAKET-ENTWURF
Entwurf Fig.2 bemisst (unindicated Toleranz: ±0.10 Millimeter)
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