Mosfet DER IRG4BC30UD-ISOLIERSCHICHTbipolar transistor-geringen Energie
npn smd transistor
,silicon power transistors
Bestandsliste
PBL3764 | 1040 | ERICSSON | 16+ | PLCC |
OB2268CCPA | 5560 | ON-BRIGHT | 16+ | SOP-8 |
LM5071MT-50 | 1794 | NSC | 14+ | TSSOP-16 |
MAX14840EASA+T | 5600 | MAXIME | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
LT1372HVIS8 | 9466 | LINEAR | 15+ | SOP-8 |
LTC2209CUP | 506 | LINEAR | 14+ | QFN |
XCS05-3VQG100C | 420 | XILINX | 12+ | QFP100 |
LP2951CN | 10000 | NSC | 15+ | DIP-8 |
CS8967G | 1376 | MYSON | 16+ | QFP |
LS1240A | 10000 | UTC | 16+ | DIP-8 |
BTS442E2 | 2100 | 14+ | TO-220-5 | |
ATMEGA8A-MU | 6560 | ATMEL | 15+ | QFN32 |
ATMEGA8A-MU | 2500 | ATMEL | 15+ | QFN-32 |
ICE1HS01G | 2460 | 14+ | SOP-8 | |
AT93C86A-10PU-2.7 | 2500 | ATMEL | 13+ | DIP-8 |
FW82801AA SL3Z2 | 3460 | INTEL | 16+ | BGA |
LM4040EIM3X-2.5 | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23 |
LTC1144CS8#PBF | 15010 | LINEAR | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
L9829 | 2201 | St. | 16+ | SOP-36 |
74HC595D | 7500 | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
FDS4935A | 2200 | FSC | 15+ | SOP-8 |
ADR5041ARTZ-REEL7 | 2000 | ANZEIGE | 16+ | SOT-23 |
CM1200HB-66H | 170 | MITSUBISH | 14+ | MODUL |
FQPF6N80 | 3460 | FAIRCHILD | 15+ | TO-220 |
L9929 | 3136 | St. | 15+ | HSSOP24 |
74HC4051D | 7500 | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
MAX280CPA | 8800 | MAXIME | 16+ | BAD |
BQ24075RGTR | 1560 | TI | 15+ | QFN16 |
IRG4BC20KD-S | 1500 | IR | 13+ | TO-263 |
1SV149 | 3000 | TOSHIBA | 15+ | TO-92S |
74HC4046AD | 7500 | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
MC14070BDR2G | 38000 | AUF | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
NPCD378HAKFX | 3620 | MUVOTON | 16+ | QFP |
HCNW3120 | 3460 | AVAGO | 15+ | SOP-8/DIP-8 |
AD8227ARZ | 2450 | ANZEIGE | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
MC68HC908GZ48CFA | 3760 | MOT | 14+ | QFP |
BD534 | 5500 | St. | 16+ | TO-220 |
MC68HC908GZ60CFA | 3766 | MOT | 14+ | QFP |
MC1458DT | 9317 | St. | 10+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
PH1819-60 | 2050 | PHILIPS | 14+ | TO-63 |
IRG4BC30UD
ISOLIERSCHICHTmosfet der BIPOLAR TRANSISTOR-geringen Energie
Eigenschaften
• Ultraschnell: Für hohe Arbeitsfrequenzen 8-40 kHz in der harten Schaltung optimiert, >200 kHz im Resonanzmodus
• Entwurf der Generation 4 IGBT liefert festere Parameterverteilung und höhere Leistungsfähigkeit als Generation 3
• IGBT mit-verpackte mit ultraschnellem HEXFREDTM, anti-parallele Dioden der Ultra-weichwiederaufnahme für Gebrauch in den Brückenkonfigurationen • Industriekompatibles TO-220AB Paket
Nutzen
• Höchste Leistungsfähigkeit des Angebots der Generation -4 IGBTS verfügbar
• IGBTs optimierte für spezifische Anwendungszustände
• HEXFRED-Dioden optimierten für Leistung mit IGBTs. Herabgesetzte Wiederaufnahmeeigenschaften erfordern brüskierendes less/no
• Entwarf, ein Ersatz „des unangekündigten Besuchs“ für gleichwertige industriekompatible Generation 3 IR IGBTs zu sein