Mosfet DER IRG4BC30UD-ISOLIERSCHICHTbipolar transistor-geringen Energie
npn smd transistor
,silicon power transistors
Bestandsliste
| PBL3764 | 1040 | ERICSSON | 16+ | PLCC |
| OB2268CCPA | 5560 | ON-BRIGHT | 16+ | SOP-8 |
| LM5071MT-50 | 1794 | NSC | 14+ | TSSOP-16 |
| MAX14840EASA+T | 5600 | MAXIME | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| LT1372HVIS8 | 9466 | LINEAR | 15+ | SOP-8 |
| LTC2209CUP | 506 | LINEAR | 14+ | QFN |
| XCS05-3VQG100C | 420 | XILINX | 12+ | QFP100 |
| LP2951CN | 10000 | NSC | 15+ | DIP-8 |
| CS8967G | 1376 | MYSON | 16+ | QFP |
| LS1240A | 10000 | UTC | 16+ | DIP-8 |
| BTS442E2 | 2100 | 14+ | TO-220-5 | |
| ATMEGA8A-MU | 6560 | ATMEL | 15+ | QFN32 |
| ATMEGA8A-MU | 2500 | ATMEL | 15+ | QFN-32 |
| ICE1HS01G | 2460 | 14+ | SOP-8 | |
| AT93C86A-10PU-2.7 | 2500 | ATMEL | 13+ | DIP-8 |
| FW82801AA SL3Z2 | 3460 | INTEL | 16+ | BGA |
| LM4040EIM3X-2.5 | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23 |
| LTC1144CS8#PBF | 15010 | LINEAR | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| L9829 | 2201 | St. | 16+ | SOP-36 |
| 74HC595D | 7500 | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| FDS4935A | 2200 | FSC | 15+ | SOP-8 |
| ADR5041ARTZ-REEL7 | 2000 | ANZEIGE | 16+ | SOT-23 |
| CM1200HB-66H | 170 | MITSUBISH | 14+ | MODUL |
| FQPF6N80 | 3460 | FAIRCHILD | 15+ | TO-220 |
| L9929 | 3136 | St. | 15+ | HSSOP24 |
| 74HC4051D | 7500 | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| MAX280CPA | 8800 | MAXIME | 16+ | BAD |
| BQ24075RGTR | 1560 | TI | 15+ | QFN16 |
| IRG4BC20KD-S | 1500 | IR | 13+ | TO-263 |
| 1SV149 | 3000 | TOSHIBA | 15+ | TO-92S |
| 74HC4046AD | 7500 | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| MC14070BDR2G | 38000 | AUF | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| NPCD378HAKFX | 3620 | MUVOTON | 16+ | QFP |
| HCNW3120 | 3460 | AVAGO | 15+ | SOP-8/DIP-8 |
| AD8227ARZ | 2450 | ANZEIGE | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MC68HC908GZ48CFA | 3760 | MOT | 14+ | QFP |
| BD534 | 5500 | St. | 16+ | TO-220 |
| MC68HC908GZ60CFA | 3766 | MOT | 14+ | QFP |
| MC1458DT | 9317 | St. | 10+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PH1819-60 | 2050 | PHILIPS | 14+ | TO-63 |
IRG4BC30UD
ISOLIERSCHICHTmosfet der BIPOLAR TRANSISTOR-geringen Energie
Eigenschaften
• Ultraschnell: Für hohe Arbeitsfrequenzen 8-40 kHz in der harten Schaltung optimiert, >200 kHz im Resonanzmodus
• Entwurf der Generation 4 IGBT liefert festere Parameterverteilung und höhere Leistungsfähigkeit als Generation 3
• IGBT mit-verpackte mit ultraschnellem HEXFREDTM, anti-parallele Dioden der Ultra-weichwiederaufnahme für Gebrauch in den Brückenkonfigurationen • Industriekompatibles TO-220AB Paket
Nutzen
• Höchste Leistungsfähigkeit des Angebots der Generation -4 IGBTS verfügbar
• IGBTs optimierte für spezifische Anwendungszustände
• HEXFRED-Dioden optimierten für Leistung mit IGBTs. Herabgesetzte Wiederaufnahmeeigenschaften erfordern brüskierendes less/no
• Entwarf, ein Ersatz „des unangekündigten Besuchs“ für gleichwertige industriekompatible Generation 3 IR IGBTs zu sein

