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Mosfet DER IRG4BC30UD-ISOLIERSCHICHTbipolar transistor-geringen Energie

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector-to-Emitter Voltage:
600 V
Continuous Collector Current:
12 A
Pulsed Collector Current :
92 A
Clamped Inductive Load Current:
92 A
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

Bestandsliste


PBL3764 1040 ERICSSON 16+ PLCC
OB2268CCPA 5560 ON-BRIGHT 16+ SOP-8
LM5071MT-50 1794 NSC 14+ TSSOP-16
MAX14840EASA+T 5600 MAXIME 14+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LT1372HVIS8 9466 LINEAR 15+ SOP-8
LTC2209CUP 506 LINEAR 14+ QFN
XCS05-3VQG100C 420 XILINX 12+ QFP100
LP2951CN 10000 NSC 15+ DIP-8
CS8967G 1376 MYSON 16+ QFP
LS1240A 10000 UTC 16+ DIP-8
BTS442E2 2100 14+ TO-220-5
ATMEGA8A-MU 6560 ATMEL 15+ QFN32
ATMEGA8A-MU 2500 ATMEL 15+ QFN-32
ICE1HS01G 2460 14+ SOP-8
AT93C86A-10PU-2.7 2500 ATMEL 13+ DIP-8
FW82801AA SL3Z2 3460 INTEL 16+ BGA
LM4040EIM3X-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LTC1144CS8#PBF 15010 LINEAR 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
L9829 2201 St. 16+ SOP-36
74HC595D 7500 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
FDS4935A 2200 FSC 15+ SOP-8
ADR5041ARTZ-REEL7 2000 ANZEIGE 16+ SOT-23
CM1200HB-66H 170 MITSUBISH 14+ MODUL
FQPF6N80 3460 FAIRCHILD 15+ TO-220
L9929 3136 St. 15+ HSSOP24
74HC4051D 7500 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MAX280CPA 8800 MAXIME 16+ BAD
BQ24075RGTR 1560 TI 15+ QFN16
IRG4BC20KD-S 1500 IR 13+ TO-263
1SV149 3000 TOSHIBA 15+ TO-92S
74HC4046AD 7500 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MC14070BDR2G 38000 AUF 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
NPCD378HAKFX 3620 MUVOTON 16+ QFP
HCNW3120 3460 AVAGO 15+ SOP-8/DIP-8
AD8227ARZ 2450 ANZEIGE 14+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MC68HC908GZ48CFA 3760 MOT 14+ QFP
BD534 5500 St. 16+ TO-220
MC68HC908GZ60CFA 3766 MOT 14+ QFP
MC1458DT 9317 St. 10+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
PH1819-60 2050 PHILIPS 14+ TO-63

IRG4BC30UD

ISOLIERSCHICHTmosfet der BIPOLAR TRANSISTOR-geringen Energie

Eigenschaften

• Ultraschnell: Für hohe Arbeitsfrequenzen 8-40 kHz in der harten Schaltung optimiert, >200 kHz im Resonanzmodus

• Entwurf der Generation 4 IGBT liefert festere Parameterverteilung und höhere Leistungsfähigkeit als Generation 3

• IGBT mit-verpackte mit ultraschnellem HEXFREDTM, anti-parallele Dioden der Ultra-weichwiederaufnahme für Gebrauch in den Brückenkonfigurationen • Industriekompatibles TO-220AB Paket

Nutzen

• Höchste Leistungsfähigkeit des Angebots der Generation -4 IGBTS verfügbar

• IGBTs optimierte für spezifische Anwendungszustände

• HEXFRED-Dioden optimierten für Leistung mit IGBTs. Herabgesetzte Wiederaufnahmeeigenschaften erfordern brüskierendes less/no

• Entwarf, ein Ersatz „des unangekündigten Besuchs“ für gleichwertige industriekompatible Generation 3 IR IGBTs zu sein

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Bild Teil # Beschreibung
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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

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