Filter
Filter
elektronische IC-Chips
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDZ3.3B,115 Hochspannungsdiode Neues und Original |
Oberflächenberg SOD-323 der Zenerdiode-3,3 V 400 mW ±2%
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PMLL4448,135 Hochleistungsdiode Neues und Original |
Oberflächenberg LLDS der Dioden-75 V 200mA; MiniMelf
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAW56S,135 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2 Paar, gemeinsame Anode, 90 V, 250 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-36
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BC807,215 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 80MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP52-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 50MHz 1,4 W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BCP54-16E6433 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 2 W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BCP54-16-TP Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 1 ein 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-223
|
Hersteller
|
|
|
|
|
|
BCP5416TA Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223-3 150MHz 2 W
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
VS-ETH1506-M3 Isolierter Tor-Feldwirkungstransistor Neuer und Original |
Diode 600 V 15A durch Loch TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10CTQ150 VISHAY Hochleistungs-Mosfet-Transistoren Neue Original-ROHS-Zertifizierung |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 150 V 5A durch Loch TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ROHS-Standard-Feldwirkungstransistor IRLR024NTRPBF Logo angepasst |
Berg D-PAK des N-Kanal-55 V 17A (Tc) der Oberflächen-45W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Präzisionsfeldwirkungstransistor mit ROHS-Zulassung SIHW30N60E-GE3 |
N-Kanal 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) durch Loch TO-247AD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54A Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-30 V 200mA
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BAT-AELs für die Gewässer |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-30 V 200mA
|
Good-Ark Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAT54S Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, Hinweis der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA des Kun
|
Good-Ark Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAT54SW Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächenberg SC-70, SOT-323 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAT54SW Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg SC-70, SOT-323 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA (DC)
|
Taiwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BAT54W Neuer und ursprünglicher Bestand |
Oberflächenberg SOT-323 der Dioden-30 V 200mA
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAT54W Neuer und ursprünglicher Bestand |
Oberflächenberg SOT-323 der Dioden-30 V 200mA
|
Taiwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BAT721C,215 Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-40 V 200mA (
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT721S,215 Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-40 V 200mA (DC)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT721S_R1_00001 Neuer und ursprünglicher Bestand |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-40 V 200mA (DC)
|
Hersteller
|
|
|
|
|
|
BAT721S,215 Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-40 V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74,215 Feldwirkungstransistor Neues und ursprüngliches Lager |
Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74,235 Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,135 Feldwirkungstransistor |
Oberflächen-Berg 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT74S/S500X Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Oberflächenberg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-30 V
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,135 Feldwirkungstransistor |
Oberflächen-Berg 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,115 Feldwirkungstransistor NEW AND ORIGINAL |
Oberflächen-Berg 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT 754S,215 Feldwirkungstransistor NEUES UND ORIGINAL |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT 754L,115 Feldwirkungstransistor NEW AND ORIGINAL |
Oberflächen-Berg 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 der Dioden-Reihen-3 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT760Z Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-20 V 1A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT760Q-7 Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-30 V 1A
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BAT 760,115 Feldwirkungstransistor |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-20 V 1A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV102 Feldwirkungstransistor |
Oberflächenberg SOD-80 der Dioden-150 V 200mA
|
Semi-ON / Semi-Katalysator
|
|
|
|
|
|
BAV170 Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-85 V 125mA (
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BAV170 Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-85 V 125mA (
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV20 Feldwirkungstransistor |
Diode 200 V 200mA durch Loch DO-35
|
Semi-ON / Semi-Katalysator
|
|
|
|
|
|
BAV20 Feldwirkungstransistor |
Diode 150 V 200mA durch Loch DO-35
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BAV21-Feldwirkungstransistor |
Diode 200 V 200mA durch Loch DO-35
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAV20 Feldwirkungstransistor |
Diode 150 V 250 mA Durchgangsloch DO-35
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAV21-Feldwirkungstransistor |
Diode 250 V 200mA durch Loch DO-35
|
Semi-ON / Semi-Katalysator
|
|
|
|
|
|
BC846B Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
|
Taiwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC846BW Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAT54CW Neue und ursprüngliche Bestände |
Dioden-Reihe Oberflächenberg SC-70, SOT-323 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-30 V 200mA
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H390JA01D MLCC-Kondensator Neuer und Originalbestand |
39 keramischer Kondensator PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 metrisch)
|
Murata
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H471GA01D MLCC-Kondensator Neuer und Originalbestand |
470 keramischer Kondensator PF ±2% 50V C0G, NP0 0402 (1005 metrisch)
|
Murata
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H470JA01D MLCC-Kondensator Neuer und Originalbestand |
47 keramischer Kondensator PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 metrisch)
|
Murata
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H431JA01D MLCC-Kondensator Neuer und ursprünglicher Bestand |
430 keramischer Kondensator PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 metrisch)
|
Murata
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H430JA01D MLCC-Kondensator Neuer und Originalbestand |
43 keramischer Kondensator PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 metrisch)
|
Murata
|
|
|