Filter
Filter
elektronische IC-Chips
Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44VPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
IRFZ44NSTRLPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-94W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
||
IRFZ34NPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
IRFZ24NPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) durch Loch TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
IRFZ48NSTRLPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
N-Kanal 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-130W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
||
IRFZ44E NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 60 V 48 A (Tc) 110 W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
1N4148WS-E3-08 NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-75 V 150mA
|
VISHAY
|
|
|
||
APC-817C1-SL NEU UND STAMMAKTIE |
Lichtdämpfer-Transistor gab 5000Vrms 1 Kanal 4-SMD aus
|
Hersteller
|
|
|
||
25CTQ045 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 45 V 15A durch Loch TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
||
ROHS aufgeführt VS-UFB60FA60P Feldwirkungstransistor Hochspannungstransistor |
Fahrgestelle-Berg SOT-227-4, miniBLOC der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-600 V 44A
|
VISHAY
|
|
|
||
IRGP4066DPBF Feldwirkungstransistor Horizontale Ausgangstransistor Schwarze Schale |
IGBT graben 600 V 140 A 454 W durch Loch TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
Professionelle Präzisions-RF-Power-Mosfet-Transistoren VS-65PQ015PBF ROHS aufgeführt |
Diode 15 V 65A durch Loch TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
||
Hochpräzisions-Feldwirkungstransistor MBR20100CTP Isoliertes Bipolartransistor |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 100 V durch Loch TO-220-3
|
Hersteller
|
|
|
||
Sicher garantierte HF-Leistung Mosfet Transistoren IRLR120NTRPBF auf Lager |
Berg D-PAK des N-Kanal-100 V 10A (Tc) der Oberflächen-48W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
||
VS-12CWQ10FNTRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 6 A, Oberflächenmontage, TO-252-3, DPak (2 Anschlüss
|
VISHAY
|
|
|
||
BCX53,146 Chipdiode Neues und Originalvorrat |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
||
1PS76SB40,135 Hochstromdiode Neues und Original |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-40 V 120mA
|
Nexperia
|
|
|
||
PESD12VS1UL,315 Chipdiode neu und originell |
35V Fernsehdioden-Oberflächenberg DFN1006-2 der Klammern-5A (8/20µs) Ipp
|
Nexperia
|
|
|
||
PHK31NQ03LT Chipdiode neu und originell |
Mosfet-Reihe
|
Nexperia
|
|
|
||
PDZ10BGWX Hochleistungsdiode Neues und Original |
Oberflächenberg SOD-123 der Zenerdiode-10 V 365 mW ±2.2%
|
Nexperia
|
|
|
||
GSOT03C-E3-08 Chip Diode Chip IC VISHAY Neue Original TVS Diode 3.3V 12.3V SOT23-3 |
12.3V Fernsehdioden-Oberflächenberg SOT-23-3 der Klammern-30A (8/20µs) Ipp
|
VISHAY
|
|
|
||
Die Anwendungsbereiche BAT54 und BAT54C1 und BAT54C2 sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführt. |
Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Dioden-30 V 200mA
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
||
Die Angabe der Anwendungsdauer des Zertifikats ist unabhängig von der Anwendungsdauer des Zertifikats. |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 (TO-261) 130MHz 1,5 W
|
Semi-ON / Semi-Katalysator
|
|
|
||
MJD127T4G Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 100 V 8 ein Oberflächenberg 1,75 4MHz W DPAK
|
Semi-ON / Semi-Katalysator
|
|
|
||
STW45NM60 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
N-Kanal 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) durch Loch TO-247-3
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
STP110N8F6 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
N-Kanal 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
STP110N7F6 NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
STP55NF06 NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 60 V 50A (Tc) 110W (Tc) durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
TIP122 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - Darlington 100 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
BTA24-600BWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
BTA16-600CWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 16 A durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
BTA06-600SWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 600 V 6 A durch Loch TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
BAV20 Feldwirkungstransistor |
Diode 200 V 200 mA Durchkontaktierung DO-35 (DO-204AH)
|
Fairchild
|
|
|
||
BAV199 Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-85 V 140mA (DC)
|
DIODEN
|
|
|
||
BAV21-Feldwirkungstransistor |
Diode 200 V 250mA durch Loch DO-35
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
||
BAV21-Feldwirkungstransistor |
Diode 200 V 250mA durch Loch DO-35
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
||
BAV23,235 Feldwirkungstransistor |
Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-200 V 225mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV23,215 Feldwirkungstransistor |
Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-200 V 225mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV23A-QR-Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-200 V 225mA
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV23AHE3-TP Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 200 V, 225 mA (DC), Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-2
|
Hersteller
|
|
|
||
BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Dioden-Reihe Oberflächenberg der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-70 V 200mA
|
Hersteller
|
|
|
||
BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Common-Kathoden-75 V 215mA
|
Fairchild
|
|
|
||
BAV70S,115 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 250 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV99-Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-75 V 215mA
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|
||
BAV99T Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 85 V, 75 mA, Oberflächenmontage, SOT-523
|
Fairchild
|
|
|
||
BAV99STB6_R1_00001 Feldwirkungstransistor neu und originell |
Diodenarray, 2-paarige Reihenschaltung, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SOT-563, SOT-666
|
Hersteller
|
|
|
||
BAV99S-AU_R1_000A1 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2-paarige Reihenschaltung, 100 V, 150 mA, Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Hersteller
|
|
|
||
BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 100 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
|
DIODEN
|
|
|
||
BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 70 V, 200 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
|
Diotec-Halbleiter
|
|
|