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elektronische IC-Chips

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
IRFZ44VPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFZ44VPBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRFZ44NSTRLPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFZ44NSTRLPBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-94W (Tc)
Infineon
IRFZ34NPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFZ34NPBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRFZ24NPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFZ24NPBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRFZ48NSTRLPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IRFZ48NSTRLPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

N-Kanal 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-130W (Tc)
Infineon
IRFZ44E NEU UND STAMMAKTIE

IRFZ44E NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 60 V 48 A (Tc) 110 W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
Infineon
1N4148WS-E3-08 NEU UND STAMMAKTIE

1N4148WS-E3-08 NEU UND STAMMAKTIE

Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-75 V 150mA
VISHAY
APC-817C1-SL NEU UND STAMMAKTIE

APC-817C1-SL NEU UND STAMMAKTIE

Lichtdämpfer-Transistor gab 5000Vrms 1 Kanal 4-SMD aus
Hersteller
25CTQ045 NEU UND ORIGINAL LAGER

25CTQ045 NEU UND ORIGINAL LAGER

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 45 V 15A durch Loch TO-220-3
VISHAY
ROHS aufgeführt VS-UFB60FA60P Feldwirkungstransistor Hochspannungstransistor

ROHS aufgeführt VS-UFB60FA60P Feldwirkungstransistor Hochspannungstransistor

Fahrgestelle-Berg SOT-227-4, miniBLOC der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-600 V 44A
VISHAY
IRGP4066DPBF Feldwirkungstransistor Horizontale Ausgangstransistor Schwarze Schale

IRGP4066DPBF Feldwirkungstransistor Horizontale Ausgangstransistor Schwarze Schale

IGBT graben 600 V 140 A 454 W durch Loch TO-247AC
Infineon
Professionelle Präzisions-RF-Power-Mosfet-Transistoren VS-65PQ015PBF ROHS aufgeführt

Professionelle Präzisions-RF-Power-Mosfet-Transistoren VS-65PQ015PBF ROHS aufgeführt

Diode 15 V 65A durch Loch TO-247AC
VISHAY
Hochpräzisions-Feldwirkungstransistor MBR20100CTP Isoliertes Bipolartransistor

Hochpräzisions-Feldwirkungstransistor MBR20100CTP Isoliertes Bipolartransistor

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 100 V durch Loch TO-220-3
Hersteller
Sicher garantierte HF-Leistung Mosfet Transistoren IRLR120NTRPBF auf Lager

Sicher garantierte HF-Leistung Mosfet Transistoren IRLR120NTRPBF auf Lager

Berg D-PAK des N-Kanal-100 V 10A (Tc) der Oberflächen-48W (Tc)
Infineon
VS-12CWQ10FNTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

VS-12CWQ10FNTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 6 A, Oberflächenmontage, TO-252-3, DPak (2 Anschlüss
VISHAY
BCX53,146 Chipdiode Neues und Originalvorrat

BCX53,146 Chipdiode Neues und Originalvorrat

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
Nexperia
1PS76SB40,135 Hochstromdiode Neues und Original

1PS76SB40,135 Hochstromdiode Neues und Original

Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-40 V 120mA
Nexperia
PESD12VS1UL,315 Chipdiode neu und originell

PESD12VS1UL,315 Chipdiode neu und originell

35V Fernsehdioden-Oberflächenberg DFN1006-2 der Klammern-5A (8/20µs) Ipp
Nexperia
PHK31NQ03LT Chipdiode neu und originell

PHK31NQ03LT Chipdiode neu und originell

Mosfet-Reihe
Nexperia
PDZ10BGWX Hochleistungsdiode Neues und Original

PDZ10BGWX Hochleistungsdiode Neues und Original

Oberflächenberg SOD-123 der Zenerdiode-10 V 365 mW ±2.2%
Nexperia
GSOT03C-E3-08 Chip Diode Chip IC VISHAY Neue Original TVS Diode 3.3V 12.3V SOT23-3

GSOT03C-E3-08 Chip Diode Chip IC VISHAY Neue Original TVS Diode 3.3V 12.3V SOT23-3

12.3V Fernsehdioden-Oberflächenberg SOT-23-3 der Klammern-30A (8/20µs) Ipp
VISHAY
Die Anwendungsbereiche BAT54 und BAT54C1 und BAT54C2 sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführt.

Die Anwendungsbereiche BAT54 und BAT54C1 und BAT54C2 sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführt.

Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Dioden-30 V 200mA
Diotec-Halbleiter
Die Angabe der Anwendungsdauer des Zertifikats ist unabhängig von der Anwendungsdauer des Zertifikats.

Die Angabe der Anwendungsdauer des Zertifikats ist unabhängig von der Anwendungsdauer des Zertifikats.

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 (TO-261) 130MHz 1,5 W
Semi-ON / Semi-Katalysator
MJD127T4G Neue und ursprüngliche Lagerbestände

MJD127T4G Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 100 V 8 ein Oberflächenberg 1,75 4MHz W DPAK
Semi-ON / Semi-Katalysator
STW45NM60 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

STW45NM60 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

N-Kanal 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) durch Loch TO-247-3
STMicroelectronics
STP110N8F6 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

STP110N8F6 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

N-Kanal 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220
STMicroelectronics
STP110N7F6 NEU UND ORIGINAL LAGER

STP110N7F6 NEU UND ORIGINAL LAGER

N-Kanal 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) durch Loch TO-220
STMicroelectronics
STP55NF06 NEU UND ORIGINAL LAGER

STP55NF06 NEU UND ORIGINAL LAGER

N-Kanal 60 V 50A (Tc) 110W (Tc) durch Loch TO-220
STMicroelectronics
TIP122 NEU UND ORIGINAL LAGER

TIP122 NEU UND ORIGINAL LAGER

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - Darlington 100 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
STMicroelectronics
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
STMicroelectronics
BTA24-600BWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BTA24-600BWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A durch Loch TO-220
STMicroelectronics
BTA16-600CWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BTA16-600CWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 16 A durch Loch TO-220
STMicroelectronics
BTA06-600SWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BTA06-600SWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 600 V 6 A durch Loch TO-220
STMicroelectronics
BAV20 Feldwirkungstransistor

BAV20 Feldwirkungstransistor

Diode 200 V 200 mA Durchkontaktierung DO-35 (DO-204AH)
Fairchild
BAV199 Feldwirkungstransistor

BAV199 Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-85 V 140mA (DC)
DIODEN
BAV21-Feldwirkungstransistor

BAV21-Feldwirkungstransistor

Diode 200 V 250mA durch Loch DO-35
Diotec-Halbleiter
BAV21-Feldwirkungstransistor

BAV21-Feldwirkungstransistor

Diode 200 V 250mA durch Loch DO-35
Diotec-Halbleiter
BAV23,235 Feldwirkungstransistor

BAV23,235 Feldwirkungstransistor

Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-200 V 225mA (DC)
Nexperia
BAV23,215 Feldwirkungstransistor

BAV23,215 Feldwirkungstransistor

Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-200 V 225mA (DC)
Nexperia
BAV23A-QR-Feldwirkungstransistor

BAV23A-QR-Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-200 V 225mA
Nexperia
BAV23AHE3-TP Feldwirkungstransistor

BAV23AHE3-TP Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 200 V, 225 mA (DC), Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-2
Hersteller
BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

Dioden-Reihe Oberflächenberg der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-70 V 200mA
Hersteller
BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Common-Kathoden-75 V 215mA
Fairchild
BAV70S,115 Feldwirkungstransistor

BAV70S,115 Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 2 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 250 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT
Nexperia
BAV99-Feldwirkungstransistor

BAV99-Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-75 V 215mA
Diotec-Halbleiter
BAV99T Feldwirkungstransistor

BAV99T Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 85 V, 75 mA, Oberflächenmontage, SOT-523
Fairchild
BAV99STB6_R1_00001 Feldwirkungstransistor neu und originell

BAV99STB6_R1_00001 Feldwirkungstransistor neu und originell

Diodenarray, 2-paarige Reihenschaltung, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SOT-563, SOT-666
Hersteller
BAV99S-AU_R1_000A1 Feldwirkungstransistor

BAV99S-AU_R1_000A1 Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 2-paarige Reihenschaltung, 100 V, 150 mA, Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller
BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 100 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
DIODEN
BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 70 V, 200 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
Diotec-Halbleiter
5 6 7 8 9