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Diotec-Halbleiter

Diotec-Halbleiter
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Diotec-Halbleiter

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Bild Teil # Beschreibung fabricant Auf Lager RFQ
BAS40-05 Chipdiode neu und originell

BAS40-05 Chipdiode neu und originell

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-40 V 200mA
BAS70-05 Hochspannungsdiode Neues und Original

BAS70-05 Hochspannungsdiode Neues und Original

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-70 V 70mA
BAS40-06 Chipdiode neu und originell

BAS40-06 Chipdiode neu und originell

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-40 V 200mA
BAT54SW Neuer und ursprünglicher Bestand

BAT54SW Neuer und ursprünglicher Bestand

Dioden-Reihe Oberflächenberg SC-70, SOT-323 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA
BAT54W Neuer und ursprünglicher Bestand

BAT54W Neuer und ursprünglicher Bestand

Oberflächenberg SOT-323 der Dioden-30 V 200mA
BAV21-Feldwirkungstransistor

BAV21-Feldwirkungstransistor

Diode 200 V 200mA durch Loch DO-35
BAV20 Feldwirkungstransistor

BAV20 Feldwirkungstransistor

Diode 150 V 250 mA Durchgangsloch DO-35
BC846BW Feldwirkungstransistor

BC846BW Feldwirkungstransistor

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
BAT54CW Neue und ursprüngliche Bestände

BAT54CW Neue und ursprüngliche Bestände

Dioden-Reihe Oberflächenberg SC-70, SOT-323 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-30 V 200mA
Die Anwendungsbereiche BAT54 und BAT54C1 und BAT54C2 sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführt.

Die Anwendungsbereiche BAT54 und BAT54C1 und BAT54C2 sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführt.

Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Dioden-30 V 200mA
BAV21-Feldwirkungstransistor

BAV21-Feldwirkungstransistor

Diode 200 V 250mA durch Loch DO-35
BAV21-Feldwirkungstransistor

BAV21-Feldwirkungstransistor

Diode 200 V 250mA durch Loch DO-35
BAV99-Feldwirkungstransistor

BAV99-Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-75 V 215mA
BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL

Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 70 V, 200 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
BCP53-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP53-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 120MHz 1,3 W
BCP53-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP53-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 120MHz 1,3 W
BCP53-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP53-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 120MHz 1,3 W
BCP55-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP55-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
BCP55-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP55-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
BCP55-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP55-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
BCP55-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP55-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 2 W
BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 2 W
BC847BW Feldwirkungstransistor

BC847BW Feldwirkungstransistor

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
BC856BW Leistungstransistor Neues und Original

BC856BW Leistungstransistor Neues und Original

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
BC856S Verstellbarer Induktor Neuer und Original

BC856S Verstellbarer Induktor Neuer und Original

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-363 des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP (Doppel) 65V 100mA 100MHz
BC857BW Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BC857BW Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
BC857BW Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BC857BW Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323