TPS51200DRCR-Energie-Weg-Management IC-Schaltersteuerungs-breites eingegebenes Synchronisierungs-Dollar src/Wanne w/prebias
microchip battery management
,power management integrated circuit
TPS51200DRCR-Energie-Weg-Management IC-Schaltersteuerungs-breites eingegebenes Synchronisierungs-Dollar src/Wanne w/prebias
Eigenschaften 1
- Eingangsspannung: Schiene der Unterstützungs2.5-v und Schiene 3.3-V
- VLDOIN-Spannungsbereich: 1,1 V bis 3,5 V
- Wanne und Quellbeendigungs-Regler schließt Herabsinken-Ausgleich ein
- Erfordert minimale Ausgangskapazität von μF 20 (gewöhnlich 3 × 10 μF MLCCs) für Gedächtnis-Beendigungs-Anwendungen (DDR)
- PGOOD, zum von Ertrag-Regelung zu überwachen
- En gab ein
- REFIN-Input lässt den flexiblen direkt aufspürenden Input entweder oder durch Widerstand-Teiler
- Fernerkundung (VOSNS)
- ±10-mA abgedämpfter Hinweis (REFOUT)
- Eingebauter Sanftanlauf, UVLO und OCL
- Thermische Abschaltung
- Unterstützungen DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, Niederleistungs-DDR3- und DDR4-VTT Anwendungen
- 10-Pin VSON Paket mit thermischer Auflage
2 Anwendungen
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Gedächtnis-Beendigungs-Regler für DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, Niederleistungs-DDR3 und DDR4
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Notizbücher, Desktops und Server
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Telekommunikation und Datacom
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Basisstationen
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LCD-Fernsehen und PDP-Fernsehen
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Kopierer und Drucker
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Receiver
Beschreibung 3
Das Gerät TPS51200 ist eine Wanne und ein Beendigungsregler der Quelldoppelter Datenrate (DDR), der speziell für niedrige Eingangsspannung, preiswerte, lärmarme Systeme bestimmt ist, in der Raum eine Schlüsselerwägung ist.
Das TPS51200 behält eine schnelle Übergangsfunktion bei und erfordert eine minimale Ausgangskapazität von μF nur 20. Das TPS51200 stützt eine Fernerkundungsfunktion und allen Leistungsbedarf für DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, Niederleistungs-DDR3- und DDR4-VTT Busbeendigung.
Darüber hinaus liefert das TPS51200 ein Signal des Offenabflusses PGOOD, die Ertragregelung zu überwachen und ein en-Signal, die benutzt werden können, um VTT während S3 (verschieben Sie zu RAM) für DDR-Anwendungen zu entladen.
Verfügbar im thermisch leistungsfähigen 10 thermischen Auflagenpaket des Stift VSON und ist ist bewertetes Grünes und Pb-freies. Es wird von – 40°C zu +85°C. spezifiziert.
Gerät-Informationen
TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
TPS51200 |
QFN |
3,00 Millimeter × 3,00 Millimeter |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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