Nachricht senden
Haus > produits > Flash-Speicher IC-Chip > BQ24232RGTR-Ladegerät Chip Fully Integrated High Accuracy

BQ24232RGTR-Ladegerät Chip Fully Integrated High Accuracy

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Ladegerät IC-Lithium-Ion 16-VQFN (3x3)
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Contact us
Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Ausgangsspannung:
4,2 V
Ausgangsstrom:
500 MA
Betriebsstoff-Spannung:
4,3 V bis 10,2 V
Produkt-Art:
Batterie-Management
Paket:
Vorlage
Bedingung:
Vorlage 100%, neues und ursprüngliches
Höhepunkt:

battery charge management ic

,

power management integrated circuit

Einleitung

Synchronisierungs-Schalter-Modus des BQ24232RGTR-Energie-Weg-Management IC-Batterie-Management-1.6MHz LiIon/Polyschläger Chrgr

Eigenschaften 1

  • Völlig konformes USB-Ladegerät
  • – Auswählbares Maximum 100-mA und 500-mA
  • Eingangsstrom
  • – stellt maximale Strombegrenzung 100-mA Befolgung zu USB-IF Standard sicher

  • – Input-ansässiges dynamisches Energie-Management (VIN- DPM) für Schutz gegen schlechte USB-Quellen

  • 28-V gab Bewertung mit Überspannungs-Schutz ein

  • Integrierte dynamische Funktion des Macht-Weg-Management-(DPPM) gleichzeitig und treibt unabhängig das System an und lädt die Batterie auf

  • Unterstützungen bis Strom zum Gebühr500-ma mit gegenwärtigem Überwachungsertrag (ISET)

  • Programmierbare Eingangsstrom-Grenze bis 500 MA für Wand-Adapter

  • Programmierbarer Beendigungs-Strom (bq24232)

  • Programmierbare Vorbelastungs-und Schnell-Gebührensicherheits-Timer

  • Rückstrom, Kurzschluss und Wärmeschutz

  • NTC-Thermistor-Input

  • Eigene Startreihenfolge begrenzt Einschaltstrom

  • Zustandsanzeige – Aufladung/, Energie erfolgt gut

  • Kleines 3 Millimeter-× 3 Paket Millimeters 16-Lead QFN

2 Anwendungen

  • BluetoothTM-Geräte

  • Niederleistungshandgeräte

Beschreibung 3

Die bq2423x-Reihen von Geräten sind in hohem Grade integriertes Li-Ionenlineare Ladegeräte und die Systemmachtwegmanagementgeräte, die auf Raum-begrenzte tragbare Anwendungen abgezielt werden. Die Geräte betreiben von irgendeinem einen USB-Port oder Wechselstrom-Adapter und stützen Gebührenstrom zwischen 25 MA und 500 MA. Der Hochinputspannungsbereich mit Inputüberspannungsschutz stützt die preiswerten, unkontrollierten Adapter. Die USB-Eingangsstromgrenzgenauigkeit und die Startreihenfolge lassen das bq2423x USB-IF Einschaltstromspezifikation treffen. Zusätzlich verhindert das Inputdynamik-Machtmanagement (VIN-DPM) das Ladegerät an entworfenen oder falsch konfigurierten USB-Quellen Zusammenstoßens schlecht.

Das bq2423x kennzeichnet dynamisches Machtwegmanagement (DPPM) das Systemwann gleichzeitig und die antreibt Batterie unabhängig, aufladend. Der DPPM-Stromkreis verringert den Vorwurfsstrom, wenn die Eingangsstromgrenze die Systemausgabe veranlaßt, auf die DPPM-Schwelle zu fallen und folglich jederzeit liefert die Systembelastung bei den Vorwurfsstrom separat überwachen. Diese Eigenschaft verringert die Zahl des Vorwurfs und die Abklingzeiten auf der Körperverletzung, lässt richtige Vorwurfsbeendigung zu und ermöglicht dem System, mit einem defekten oder abwesenden Körperverletzungssatz zu laufen. Zusätzlich ermöglicht dieses sofortigem System Turn-on sogar mit einer total entladenen Körperverletzung. Die Machtwegmanagementarchitektur ermöglicht auch die Körperverletzung, die gegenwärtigen Anforderungen des Systems zu ergänzen, wenn der Adapter die Höchstsystemstrom nicht liefern kann und ermöglicht dem Gebrauch eines kleineren Adapters.

Die Batterie wird in drei Phasen aufgeladen: Konditionierung, konstanter Strom und konstante Spannung. In alle Vorwurfsphasen überwacht ein interner Regelkreis die IC-Grenzschichttemperatur und verringert den Vorwurfsstrom, wenn die interne Temperaturschwelle überstiegen wird.

Die Ladegerätleistungsstufe- und -Vorwurfsstromrichtungsfunktionen werden völlig integriert. Die Ladegerätfunktion hat Hochgenauigkeitsstrom- und -Spannungsregulierungsschleifen, VorwurfsStatusanzeige und Vorwurfsbeendigung. Der Eingangsstromgrenz- und -Vorwurfsstrom sind- unter Verwendung der externen Widerstände programmierbar.

Gerät-Informationen

TEILNUMMER

PAKET

KÖRPER-GRÖSSE (NOM)

bq24230

VQFN (16)

3,00 Millimeter × 3,00 Millimeter

bq24232

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
Contact us