Justierbare Spannungs-hohe Integration BQ24172RGYR-Energie-Weg-Management ICs 1.6MHz
battery charge management ic
,microchip battery management
Synchronisierungs-Schalter-Modus des BQ24172RGYR-Energie-Weg-Management IC-Batterie-Management-1.6MHz LiIon/Polyschläger Chrgr
Eigenschaften 1
- integrierte synchrones Ladegerät des Schalten-Modus-1.6-MHz mit 4-A N-MOSFETs
- Bis 94% Leistungsfähigkeit
- 30-V gab Bewertung mit justierbarem Überspannungs-Schutz ein
- – 4.5-V zu 17-V gab funktionierenden Spannungsbereich ein
- Körperverletzungs-Vorwurfs-Spannung
- – bq24170: 1, 2 oder 3-Cell mit 4,2 V/Cell
- – bq24172: Justierbare Gebührenspannung
- Hohe Integration
- – Automatischer Energie-Weg-Vorwahl zwischen Adapter und Batterie
- – Dynamisches Energie-Management
- – Integrierte zugeschaltete MOSFETs 20-V
- – Integrierte Stiefelriemen-Diode
- – Interner Digital-Sanftanlauf
- Sicherheit
- – Wärmeregelungs-Schleife drosselt Gegenstrom, um zu begrenzen TJ = 120°C
- – Thermische Abschaltung
- – Körperverletzungs-Thermistor-Richtungs-heißer/kalter Vorwurf verschieben und Körperverletzung ermitteln
- – Justierbarer eingegebener Überspannungs-Schutz
- – Zyklus-durch-Zyklus-Strombegrenzung
- Genauigkeit
- – ±0.5% Gebühr Voltage Regulation
- – ±4% Gebührengegenwärtige Regelung
- – ±4% Eingangsstrom-Regelung
- <15->
- <1>
2 Anwendungen
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Tablet-PC
-
Tragbare Datenerfassungs-Anschlüsse
-
Tragbare Drucker
-
Medizinische Diagnostikgeräte
-
Batterie-Bucht-Ladegeräte
-
Notstromversorgung durch Batterien-Systeme
Beschreibung 3
Das bq2417x-Gerät ist Ladegerät eines in hohem Grade integrierten alleinstehenden Li-Ionen- und Li-Polymerschaltenmodus mit zwei integrierten N-Kanalenergie MOSFETs. Das Gerät bietet einen synchronen PWM Prüfer der Konstantfrequenz mit Hochgenauigkeitsregelung des Eingangsstroms, des Vorwurfsstroms und der Spannung an. Das bq2417x überwacht nah die Körperverletzungssatztemperatur, um Vorwurf nur in einem voreingestellten Temperaturfenster zu erlauben. Die Vorwürfe bq24170 eine, zwei oder drei Zellen (vorgewählt durch ZELLstift) und das bq24172 ist- für bis drei Zellen der Reihe Li+ justierbar.
Gerät-Informationen
| TEILNUMMER | PAKET | KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
bq2417
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VQFN (24) |
5,50 Millimeter × 3,50 Millimeter |
bq2417
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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