Vorwurfs-Prüfer IC, Ein-Inputladegerät BQ24070RHLR Lipo der Ladegerät-integrierten Schaltung
microchip battery management
,power management integrated circuit
Batterie-Management-Ein-Inputladegerät des BQ24070RHLR-Energie-Weg-Management-IC
Eigenschaften 1
- Kleines 3,5 Millimeter-× 4,5 Paket Millimeters VQFN
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Entworfen für einzelliges Li-Ion oder Li-Polymer
Basierte tragbare Anwendungen
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Integrierte dynamische Eigenschaft des Macht-Weg-Management-(DPPM), den Wechselstrom-Adapter das System gleichzeitig antreiben und die Batterie aufladen lassend
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Energie-Ergänzungs-Modus lässt Batterie den Wechselstrom-Eingangsstrom ergänzen
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Autonome Energiequellen-Auswahl (Wechselstromadapter oder -SCHLÄGER)
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Unterstützungen bis 2 ein Gesamtstrom
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Wärmeregelung zur Gebührensteuerung
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Gebührenstatus-Ertrag für LED oder Systemschnittstelle zeigt Gebühr und Störungen an
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Rückstrom, Kurzschluss und Wärmeschutz
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Treiben Sie gute Status-Ertrag an
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Wahlen 4.4-V und 6-V für Systemausgabe-vorgeschriebene Spannung
2 Anwendungen
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Intelligente Telefone und PDAs
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Spieler MP3
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Digitalkameras und Handgeräte
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Internet-Geräte
Beschreibung 3
Die bq24070 und die bq24071 sind in hohem Grade integriertes Li-Ionendie linearen Ladegerät- und Systemmachtwegmanagementgeräte, die auf Raum-begrenzte tragbare Anwendungen abgezielt werden. Die bq2407x-Geräte bieten Machtwegmanagement DC-Versorgung (Wechselstrom-Adapter) mit autonomer Machtquellauswahl, Macht FETs und gegenwärtige Sensoren, Hochgenauigkeitsstrom und -Spannungsregulierung, Vorwurfsstatus und Vorwurfsbeendigung, in einem einzelnen Monolithen an.
Die bq2407x-Gerätenergie das System beim die Batterie unabhängig aufladen. Diese Eigenschaft verringert den Vorwurf und die Abklingzeiten auf der Körperverletzung, lässt richtige Vorwurfsbeendigung zu und lässt das System mit einem abwesenden oder defekten Körperverletzungssatz laufen. Diese Eigenschaft darf auch das System an von einer Aussenbord-Stromversorgungsanlage Quelle im Falle eines tief entladenen Körperverletzungssatzes blitzschnell sich drehen. Der IC-Entwurf wird auf Lieferungsdauerleistung zum System gerichtet, wenn erhältlich von den Wechselstromadapter- oder -Körperverletzungsquellen.
Gerät-Informationen
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TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
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bq24070 |
VQFN (20) |
3,50 Millimeter × 4,50 Millimeter |
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bq24071 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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