Körperverletzungs-Vorwurfs-Prüfer IC, hohe Eingangsspannung BQ25606RGER -40 bis 85 Li Ion Chargers IC
microchip battery management
,power management integrated circuit
Hoher Eingangsspannungs-und Energie-Weg 24-VQFN -40 bis 85 BQ25606RGER-Energie-Weg-Management ICs
Eigenschaften 1
- Hoch-Leistungsfähigkeit, 1.5-MHz, synchroner Schalter-Modus Buck Charger
– 92% Gebühren-Leistungsfähigkeit bei 2 A von 5-V gab ein
– Optimiert für USB-Spannungs-Input (5 V)
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Stützen unterwegsusb (OTG)
– Auftriebs-Konverter mit bis zu Ertrag 1.2-A
– 92% Auftriebs-Leistungsfähigkeit am Ertrag 1-A
– Genaue Grenze Constant Currents (cm)
– Sanftanlauf bis 500 μF kapazitive Last
– Ertrag-Kurzschlusssicherung
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Ein-Input USB-eingegebene und Hochspannungsadapter stützen
– Unterstützung 3.9-V zum Eingangsspannungsbereich 13.5-V mit absoluter maximaler Bewertung der Eingangsspannungs-22-V
– Höchstleistung, die durch Eingangsspannungs-Grenze bis 4,6 V (VINDPM, aufspürt)
– VINDPM-Schwelle spürt automatisch Batterie-Spannung auf
– Auto ermitteln USB SDP, DCP und nichtstandardisierte Adapter
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Hohe Batterie-Entladungs-Leistungsfähigkeit mit mΩ Batterie-Entladung MOSFET 19,5
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Energie-Weg-Management Enge VDC (NVDC)
– Sofortig-auf Arbeiten ohne Batterie oder tief entladene Batterie
– Ideale Dioden-Operation im Batterie-Ergänzungs-Modus
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Hohe Integration umfasst alle MOSFETs, gegenwärtige Abfragung und Schleifen-Ausgleich
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Durchsickern-Strom der schwachen Batterie 58-μA mit Netzspannungs-Bereitschaft
- Hohe Genauigkeit
– ±0.5% Gebühr Voltage Regulation
– ±6% Strom am Gebühr1.2-a und 1.8-A
- Regelung
– ±5% der Regelung an des Eingangsstrom-0.5-A, 1.2-A und 1.8-A
Schaffen Sie kundenspezifisch anfertigen unter Verwendung des bq25606 mit dem WEBENCH®-Energie-Designer
2 Anwendungen
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EPOS, tragbare Sprecher, E-Zigarette
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Tragbare Internet-Geräte und Zusatz
Beschreibung 3
Das Gerät bq25606 ein hoch-integriertes alleinstehendes Körperverletzungsvorwurfs-Management- und Systemmachtwegmanagementgerät des Schaltermodus 3.0-A für einzellige Li-Ionen- und Li-Polymerkörperverletzung. Der niedrige Widerstandmachtweg optimiert Schaltermodusoperations-Leistungsfähigkeit, verringert Körperverletzungsaufladezeit und verlängert Batteriedauer während der Entladung von Phase.
Gerät-Informationen
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TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
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bq25606 |
VQFN (24) |
4,00 Millimeter × 4,00 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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