Der Energie-Management-integrierten Schaltung TPS79301DBVR 200mA Justage hallo PSRR
battery charge management ic
,microchip battery management
TPS79301DBVR-Energie-Weg-Management ICs LDO Justage hallo PSRR der Spannungs-Regler-200mA
Eigenschaften 1
- Niedrig-Austritts-Regler Rf-200-mA mit ermöglichen
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Verfügbar in den Festspannungsversionen von 1,8 V für 4,75 V und justierbar (1,22 V bis 5,5 V)
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Hohes PSRR (DB 70 bei 10 kHz)
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Lärmarm (32 μVRMS, TPS79328)
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Schnelle Startzeit (50 μs)
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Stall mit einem 2,2 μF keramischen Kondensator
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Ausgezeichnete Last und Linie Übergangsfunktion
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Sehr niedrige Abschaltspannung (112 Millivolt bei 200 MA, TPS79330)
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5- und 6-Pin SOT23 (DBV) und Pakete NanoStar-Oblaten-Chip Scales (YZQ)
2 Anwendungen
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Rf: VCOs, Empfänger, ADCs
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Audio
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Zelluläre und drahtlose Telefone
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Bluetooth-®, drahtloser LAN
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Handorganisatoren, PDAs
Beschreibung 3
Die Familie TPS793 von linearen Spannungsniederleistungsreglern des Niedrigaustritts (LDO) kennzeichnet hohes Stromversorgungsablehnungsverhältnis (PSRR), Ultralowgeräusche, schnellen Start und ausgezeichnete Linie und lädt Übergangsfunktionen in der NanoStarTM-Oblaten-Chipskala und in den Paketen SOT23. NanoStar Verpacken gibt einen ultrasmall Abdruck sowie ein ultralow Profil- und Paketgewicht und stellt diese Geräte ideal für tragbare Anwendungen wie Hörer und PDAs her. Jedes Gerät in der Familie ist, mit einem kleinen, 2,2 μF keramischer Kondensator auf dem Ertrag stabil. Die Familie TPS793 verwendet einen fortgeschrittenen, eigenen, BiCMOS-Herstellungsprozeß, zum - von niedrigen Abschaltspannungen (zum Beispiel, 112 Millivolt bei 200 MA, TPS79330) extrem zu erbringen. Jedes Gerät erzielt schnelle Startzeiten (ungefähr 50 μs mit einem 0,001 μF Überbrückungskondensator) beim Verbrauchen des sehr niedrigen Ruhestroms (das μA 170 typisch). Außerdem wenn das Gerät in Bereitschaftsbetriebsart gelegt wird, wird der Versorgungsstrom auf weniger als 1 μA verringert. Das TPS79328 weist μVRMS ungefähr 32 von Ausgangsspannungsgeräuschen am Ertrag 2.8-V mit einem 0,1 μF Überbrückungskondensator auf. Anwendungen mit analogen Komponenten, die, wie tragbare Rf-Elektronik, Nutzen vom hohen PSRR Geräusch-empfindlich sind und lärmarme Eigenschaften sowie die schnellen Antwortzeit.
Gerät-Informationen
TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
TPS793 |
SOT-23 (6) |
2,90 Millimeter × 1,60 Millimeter |
SOT-23 (5) |
2,90 Millimeter × 1,60 Millimeter |
|
DSBGA (5) |
1,35 Millimeter × 1,00 Millimeter |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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