Spitzen-Wanne/Quell-TPS51206DSQR-Energie-Weg-Management ICs PMIC 2A DDR-Ausdruck-Ausrichtung
power management integrated circuit
,battery charge management ic
Spitzen-Wanne/Quell-TPS51206DSQR-Energie-Weg-Management ICs PMIC 2A DDR-Ausdruck-Ausrichtung
Eigenschaften 1
- Versorgungs-Eingangsspannung: Schiene der Unterstützungs3.3-v und Schiene 5-V
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VLDOIN-Eingangsspannungsbereich: VTT+0.4 V bis 3,5 V
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VTT-Beendigungs-Regler
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– Ausgangsspannungs-Strecke: 0,5 V bis 0,9 V
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– Wanne der Spitzen-2-A und Quellstrom
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– Erfordert nur 10 μF MLCC Ertrag-Kondensator
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– Genauigkeit ±20 Millivolt
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VTTREF dämpfte Hinweis ab
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– VDDQ/2 ± 1% Genauigkeit
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– Wanne 10-mA und Quellstrom
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Unterstützungen hoch--z in S3 und im Weich-Halt in S4 und in S5 mit Input S3 und S5
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Übertemperaturschutz
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10-Pin, 2 Millimeter × 2 Millimeter-SOHN (DSQ) Paket
2 Anwendungen
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Stromversorgung des Gedächtnis-DDR2, DDR3, DDR3L und DDR4
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SSTL_18-, SSTL_15-, SSTL_135- und HSTL-Beendigung
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Telekommunikation und Datacom, G-/Mbasisstation, Fernsehen LCD und PDP-TV, Kopierer und Drucker, Receiver
Beschreibung 3
Das Gerät TPS51206 ist eine Wanne und Beendigungsregler der Rate des Quelldoppelten Datums (DDR) mit VTTREF dämpfte Bezugsproduktion ab. Er ist speziell für Niedriginputspannung, preiswerte, niedrig-externe Teilzählungssysteme bestimmt, in der Raum eine Schlüsselerwägung ist. Das Gerät behält schnelle Übergangsfunktion bei und erfordert nur 1 × 10 μF keramische Ausgangskapazität. Das Gerät stützt eine Fernerkundungsfunktion und allen Leistungsbedarf für DDR2, DDR3 und Niederleistungs-Bus DDR3 (DDR3L) und DDR4 VTT. Die gegenwärtige Fähigkeit VTT ist ±2-A Spitze. Das Gerät stützt alle DDR-Machtstaaten, setzt VTT zu hoch--z in Zustand S3 (verschieben Sie zu RAM) ein und entlädt VTT und VTTREF im Zustand S4 oder S5 (zur Scheibe verschieben).
Das Gerät TPS51206 ist in 10-Pin, 2 Millimeter × 2 Millimeter-SOHN (DSQ) PowerPADTM-Paket verfügbar und spezifizierte von – 40°C zu 105°C.
Gerät-Informationen
TEILNUMMER | PAKET | KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
TPS51206 | WSON (10) | 2,00 Millimeter × 2,00 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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