Spannungs-Regler 250-mA LDO TPS76618DR Power Path Management IC LDO
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Spannungs-Regler 250-mA LDO TPS76618DR Power Path Management IC LDO
EIGENSCHAFTEN
- niedriger Regler der Abschaltspannungs-250-mA
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Verfügbar in 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, 2,7 V, 2,8 V,
3,0 V, örtlich festgelegter Ertrag von 3,3 V, 5,0 V und justierbare Versionen -
Abschaltspannung bis 140 Millivolt (Art) bei 250 MA (TPS76650)
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Ultralow 35 μA typischer Ruhestrom
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3% Toleranz über spezifizierten Bedingungen für
Örtlich festgelegte Ertrag-Versionen
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Offen-Abfluss-Energie gut
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8-Pin SOIC Paket
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Thermischer Abschaltungs-Schutz
BESCHREIBUNG
Dieses Gerät ist entworfen, um einen ultralow Ruhestrom zu haben und mit einem 4,7 μF Kondensator stabil zu sein. Diese Kombination stellt Hochleistung zu angemessenen Kosten zur Verfügung.
Weil das PMOS-Gerät als geringwertiger Widerstand sich benimmt, ist die Abschaltspannung (gewöhnlich 230 Millivolt an einem Ausgangsstrom von 250 MA für das TPS76650) sehr niedrig und ist direkt zum Ausgangsstrom proportional. Zusätzlich da das PMOS-Durchlaufelement ein Spannung-gesteuertes Gerät ist, ist der Ruhestrom sehr niedrig und Unabhängiges des Ertragladens (μA gewöhnlich 35 über der vollständigen Auswahl des Ausgangsstroms, 0 MA bis 250 MA). Diese zwei Schlüsselspezifikationen erbringen eine bedeutende Verbesserung in der Lebensdauer für batteriebetriebene Systeme. Diese LDO-Familie kennzeichnet auch einen Schlafmodus; ein hohes Signal TTLs an en anwendend (ermöglichen Sie), schließen den Regler und verringern den Ruhestrom auf weniger als 1 μA (Art).
Die gute Energie (SEITE) ist ein aktives mit hohem Ausschuss, das verwendet werden können, um a macht-auf Zurückstellen oder einem Indikator der schwachen Batterie einzuführen.
Das TPS766xx wird in 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, 2,7 V, 2,8 V, 3,0 V, 3,3 V und in 5,0 v-Festspannungsversionen und in einer justierbaren Version angeboten (programmierbar über der Strecke 1,25 V bis 5,5 V). Ausgangsspannungstoleranz wird als Maximum von 3% über Linie, Last und Temperaturspannen spezifiziert. Die TPS766xx-Familie ist in einem 8 Paket des Stift SOIC verfügbar.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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