Nachricht senden
Haus > produits > Flash-Speicher IC-Chip > BQ25895RTWR-Energie-Weg-Management IC-Batterie-Management I2C Contd singen Ladegerät der Zellen5a NVDC

BQ25895RTWR-Energie-Weg-Management IC-Batterie-Management I2C Contd singen Ladegerät der Zellen5a NVDC

fabricant:
Hersteller
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Contact us
Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Ausgangsspannung:
4,5 V bis 5,5 V
Ausgangsstrom:
5 A
Betriebsstoff-Spannung:
3,9 V bis 14 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 85 C
Paket/Fall:
WQFN-24
Höhepunkt:

battery charge management ic

,

power management integrated circuit

Einleitung

BQ25895RTWR-Energie-Weg-Management IC-Batterie-Management I2C Contd singen Ladegerät der Zellen5a NVDC

Eigenschaften 1

  • Hohe Leistungsfähigkeit 5-A, Modus Buck Charge des Schalter-1.5-MHz
  • – 93% Gebühren-Leistungsfähigkeit bei 2 A und 91% Gebühren-Leistungsfähigkeit bei 3 ein Gebührenstrom

  • – Optimieren Sie für Hochspannungsinput (9 V bis 12 V)

  • – Modus der geringen Energie PFM für Schwachlastbetriebe

  • Auftriebs-Modus-Operation mit justierbarem Ertrag von 4,5 V zu 5,5 V

    • – Auswählbares 500-KHz dem Konverter zu des Auftriebs-1.5-MHz mit bis zu Ertrag 3.1-A

    • – 93% Auftriebs-Leistungsfähigkeit bei 5 V bei 1 ein Ertrag

  • Integrierte Steuerung, zum zwischen Gebühr und Auftriebs-Modus zu schalten

  • Ein-Input USB-Input und justierbare Hochspannungsadapter stützen

    • – Unterstützung 3.9-V zum Eingangsspannungsbereich 14-V

    • – Eingangsstrom-Grenze (100 MA bis 3,25 A mit 50 - MA-Entschließung) zum des Standards USB2.0, USB3.0 und der Hochspannungsadapter zu stützen

    • – Höchstleistung, die durch Eingangsspannungs-Grenze bis zu 14V für breite Palette von Adaptern aufspürt

    • – Auto ermitteln USB SDP, Verdichteraustrittsdruck, DCP und nichtstandardisierte Adapter

  • Eingangsstrom-Optimierer (ICO) zum von Eingangsleistung zu maximieren, ohne Adapter zu überbelasten

  • Widerstand-Ausgleich (IRCOMP) von Ladegerät-Ertrag zu Zellanschluß

  • Höchste Batterie-Entladungs-Leistungsfähigkeit mit 11 mΩ Batterie-Entladung MOSFET bis 9 A

  • Integrierte ADC für System-Monitor (Spannung, Temperatur, Gebührenstrom)

  • Energie-Weg-Management Enge VDC (NVDC)

    • – Sofortig-auf Arbeiten ohne Batterie oder tief entladene Batterie

    • – Ideale Dioden-Operation im Batterie-Ergänzungs-Modus

  • BATFET-Steuerung zum Tender-Modus, wachen und volles Rücksetzen des Systems auf

  • Flexibler autonomer und I2C-Modus für optimale Systemleistung

  • Hohe Integration umfasst alle MOSFETs, gegenwärtige Abfragung und Schleifen-Ausgleich

  • zu stützen Durchsickern-Strom der schwachen Batterie 12-μA sich

Schiffs-Modus
• Hohe Genauigkeit

– ±0.5% Gebühr Voltage Regulation – ±5% Gebührengegenwärtige Regelung
– ±7.5% Eingangsstrom-Regelung

• Sicherheit

  • – Körperverletzungs-Temperatur, die für Vorwurfs-und Auftriebs-Modus abfragt

  • – Wärmeregelungs-und Thermalabschaltung

  • – Schaffen Sie kundenspezifisch anfertigen unter Verwendung des bq25895

    Mit dem WEBENCH®-Energie-Designer

2 Anwendungen

• Energie-Bank, beweglicher Wi-Fikrisenherd

• Drahtloser Bluetooth-Sprecher
• Tragbare Internet-Geräte

Beschreibung 3

Das bq25895 ist ein hoch-integriertes Körperverletzungsvorwurfs-Management- und Systemmachtwegmanagementgerät des Schaltermodus 5-A für einzelliges Li-Ionen- und Li-Polymer Körperverletzung. Die Geräte stützen die schnelle Aufladung der hohen Eingangsspannung. Der niedrige Widerstandmachtweg optimiert Schaltermodusoperations-Leistungsfähigkeit, verringert Körperverletzungsaufladezeit und verlängert Batteriedauer während der Entladung von Phase.

Gerät-Informationen

TEILNUMMER

PAKET

KÖRPER-GRÖSSE (NOM)

bq25895

WQFN (24)

4.00mm x 4.00mm

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
Contact us