BQ25060DQCR-Energie-Weg-Management IC-Batterie-Management 1A, Sgl-Inp, Sgl-Zelle Li-Ion Batt Charger
power management integrated circuit
,microchip battery management
BQ25060DQCR-Energie-Weg-Management IC-Batterie-Management 1A, Sgl-Inp, Sgl-Zelle Li-Ion Batt Charger
EIGENSCHAFTEN
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Input 30V Bewertung, mit Schutz der Überspannungs-10.5V (OVP)
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Fet-Prüfer für externen Batterie FET zur Aussenbord-Stromversorgungsanlage Weg-Steuerung (BGATE)
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Eingangsspannungs-dynamisches Energie-Management
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50mA integrierte niedriger Austritts-linearen Regler (LDO)
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Programmierbarer Gebührenstrom durch ISET und en Pin
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0,5% Batterie-Voltage Regulations-Genauigkeit
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7% Gebührengegenwärtige vorgeschriebene Genauigkeit
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Wärmeregelung und Schutz
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Überwachung der Körperverletzungs-NTC während des Vorwurfs
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Zustandsanzeige – Aufladung/erfolgt
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Verfügbar in kleinem 2mm × 3mm 10 Pin-SOHN Paket
ANWENDUNGEN
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Intelligente Telefone
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Handys
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Tragbare Multimedia-Spieler
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Handgeräte der geringen Energie
BESCHREIBUNG
Das bq25060 ist ein in hohem Grade integriertes Li-Ionenlineares Ladegerät, das auf Raum-begrenzte tragbare Anwendungen abgezielt wird. Es funktioniert entweder von einem USB-Port oder VON Wechselstrom-Adapter und lädt eine einzellige Li-Ionenbatterie mit bis zu 1A des Vorwurfsstroms auf. Der Eingangsspannungsbereich 30V mit Inputüberspannungsschutzen stützt preiswerte unkontrollierte Adapter.
Das bq25060 hat eine einzelne Leistungsabgabe, die die Batterie auflädt. Die Systembelastung wird an HERAUS angeschlossen. Der Batterieanlagestartschaltkreis hält HERAUS größeres als 3.4V instand, wann immer eine Inputquelle angeschlossen wird. Dieses erlaubt das System zu Start- und zum Lauf, wann immer eine Inputquelle unabhängig davon die Körperverletzungsspannung angeschlossen wird. Der Vorwurfsstrom ist bis zu 1A unter Verwendung des ISET-Input programmierbar. Zusätzlich wird ein 4.9V 50mA LDO in IC für Lieferungsexternen Schaltkreis der geringen Energie integriert.
Die Batterie wird in drei Phasen aufgeladen: Konditionierungs, konstante gegenwärtige und konstante Spannung. In alle Vorwurfsphasen überwacht ein interner Regelkreis die IC-Grenzschichttemperatur und verringert den Vorwurfsstrom, wenn eine interne Temperaturschwelle überstiegen wird. Die Ladegerätleistungsstufe- und -Vorwurfsstromrichtungsfunktionen werden völlig integriert. Die Ladegerätfunktion hat Strom- und Spannungsregulierungsschleifen der hohen Genauigkeit, VorwurfsStatusanzeige und Vorwurfsbeendigung.
EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
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TEILNUMMER. |
MARKIERUNG |
MEDIUM |
QUANTITÄT |
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bq25060DQCR |
DAN |
Band und Spule |
3000 |
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bq25060DQCT |
DAN |
Band und Spule |
250 |
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PAKET |
RqJA |
RqJC |
TA< 25=""> |
FAKTOR ÜBER HERABSETZEN TA = 25°C |
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10 × 3mm Pin 2mm SOHN (1) |
58.7°C/W (2) |
3.9°C/W |
1.70W |
0.017W/°C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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