LTC4415EMSE#PBF-Energie-Weg-Management IC-Energie-Management spezialisiert - ideale Dioden PMIC 2x 4A mit Justage C Lim
microchip battery management
,battery charge management ic
LTC4415EMSE#PBF-Energie-Weg-Management IC-Energie-Management spezialisiert - ideale Dioden PMIC 2x 4A mit Justage C Lim
Eigenschaften
n verdoppeln monolithische ideale Dioden 50mΩ
n 1.7V zu Betriebsbereich 5.5V
n bis zur justierbaren Strombegrenzung 4A für jeden niedrigen Rückdurchsickern-Strom der Dioden-n (1μA maximal)
Vorwärtstropfen n 15mV der Regelung
glattes Umschalten n im Dioden-O-Ring
n-Lasts-gegenwärtiger Monitor
n-Präzision ermöglicht Schwellen, Umschalten einzustellen
n-Sanftanlauf, Einschaltstrom auf Start zu begrenzen
n-Status steckt fest, um Vorwärtsdioden-Leitung n gegenwärtige und thermische Grenze mit Warnung anzuzeigen
n erhöhte thermisch 16-Lead MSOP und DFN
Anwendungen
hoher gegenwärtiger PowerPathTM Schalter n
n-Batterie und Wand-Adapter-Dioden-O-Ring
n-Ersatzbatterie-Dioden-O-Ring
n-Logik steuerte hohen gegenwärtigen O-Ring des Netzschalter-n Supercapacitor
nMultiple Batterie-Teilen
Beschreibung
Das LTC®4415 enthält zwei monolithische ideale Dioden PowerPath, jedes fähige zur Lieferung bis zu 4A mit typischem Vorwärtsleitungswiderstand von 50mΩ. Der DiodenSpannungsabfall wird zu 15mV während der Vorwärtsleitung an den niedrigen Strom reguliert, erweitert den Betriebsbereich der Stromversorgung und stellt keine Schwankungen während des Versorgungsumschaltens sicher. Kleiner als 1μA von gegenwärtigen Rückflüssen vom HERAUS zu, WENN dieses Gerät gut angepasst für Stromversorgung O-Ring Anwendungen hergestellt wird.
Zwei idealen Dioden werden unabhängig unter Verwendung des Input EN1 und EN2 ermöglicht und gegeben. Die Ertragstrombegrenzungen können von 0.5A zu 4A unter Verwendung der Widerstände auf den CLIM-Stiften unabhängig justiert werden. Außerdem können die idealen Diodenströme über CLIM-Stiftspannungen überwacht werden.
Offen-Abflussstatusstifte zeigen an, wann die idealen Dioden vorwärts leiten. Wenn die Würfeltemperatur thermischer Abschaltung sich nähert, oder wenn die Ertraglast die Kanaillemietgrenzschwelle übersteigt, werden die entsprechenden warnenden Stifte niedrig gezogen.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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