Energie-Weg-Management IC-Referenzspannungen LDO 2.5V ADR441BRZ ADR441BRZ-REEL7 mit Crnt Wanne u. Srce
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Energie-Weg-Management IC-Referenzspannungen LDO 2.5V ADR441BRZ ADR441BRZ-REEL7 mit Crnt Wanne u. Srce
EIGENSCHAFTEN
- Ultralow Spannungsgeräusche (0,1 Hz bis 10 Hz): 1,2 μV pp.
- Großartiger Temperaturantrieb: 5 ppm/°C
- Niedrige Austrittsoperation (Versorgungsspannungsdurchfahrtshöhe): 500 Millivolt Betriebsbereich der Versorgungsspannung: 3 V bis 18 V
- Mit hohem Ausschuss Quell- und Wannenstrom
- +10 MA und −5 MA, beziehungsweise
- ERHÖHTE PRODUKT-EIGENSCHAFTEN
- Stützt Verteidigung und Luftfahrtanwendungen (AQEC-Standard)
- Militärtemperaturspanne (−55°C zu +125°C) kontrollierter Herstellungsgrundlinie
- 1 Versammlung/Testgelände
- 1 Herstellungsstandort
- Produktänderungsmitteilung Qualifikationsdaten verfügbar auf Anfrage
ANWENDUNGEN
- Batteriebetriebene Feinmeßgeräte Instrumentierung der Umsetzer PräzisionsDatenerfassungssysteme hoher Auflösung
- Militärkommunikation machte Systeme Avionik unmenschlich
ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Das ADR441-EP1 ist eine XFET®-Referenzspannung, die ultralow Geräusche, hohe Genauigkeit und Antriebleistung der niedrigen Temperatur kennzeichnet. Using Analog Devices, Inc., Temperaturantriebbiegungskorrektur und eingepflanzte Extratechnologie Kreuzung FET (XFET), Spannungsänderung gegen Temperaturnichtlinearität im ADR441-EP wird groß herabgesetzt.
Der XFET-Hinweis bietet bessere Geräuschleistung als begrabene Zener-Hinweise an, und der XFET-Hinweis funktioniert weg
niedrige Versorgungsspannungsdurchfahrtshöhe (500 Millivolt). Diese Kombination von Eigenschaften macht das ADR441-EP, das ideal für Präzisionssignalumwandlungsanwendungen in den SpitzenDatenerfassungssystemen, in der Militärkommunikation und in den Avionikanwendungen entsprochen wird.
Das ADR441-EP hat die Fähigkeit zur Quelle bis +10 MA des Ausgangsstroms und der Wanne bis zu −5 MA. Das Gerät kommt auch mit einem Ordnungsanschluß, die Ausgangsspannung über einer 0,5% Strecke ohne kompromittierende Leistung zu justieren.
Das ADR441-EP ist in einer 8 Führung, schmales SOIC-Paket verfügbar. Das ADR441-EP wird über der Militärtemperaturspanne −55°C zu zusätzlicher Anwendung +125°C. spezifiziert und technische Informationen können im ADR441 Leistungsblatt gefunden werden.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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