LP2981-33DBVR LP2981-30DBVR Energie-Weg-Management ICs LDO REGLER MAs ULTRA LDO Spannungs-Regler MIKROLEISTUNGS-50
microchip battery management
,power management integrated circuit
LP2981-33DBVR LP2981-30DBVR Energie-Weg-Management ICs LDO REGLER MAs ULTRA LDO Spannungs-Regler MIKROLEISTUNGS-50
Eigenschaften 1
- Ertrag-Toleranz von
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– 0,75% (a-Grad)
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– 1,25% (handelsübliche Qualität)
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Ultra-niedriger Austritt gewöhnlich:
– 200mVCM GROUPllLoadof100mA – 7mVat1mA -
Niedriger IQ: μA 600 typisch an der vollen Last von 100 MA
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Abschaltungs-Strom: 0,01 μA typisch
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Schnelle Übergangsfunktion zu zeichnen und zu laden
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Überstrom und Wärmeschutz
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Hohe Spitzenstrom-Fähigkeit
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Niedriges ZOUT über breitem Frequenzbereich
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−40°C zur 125°C Temperaturspanne
2 Anwendungen
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Intelligente Meter
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Servo und Motorsteuerung
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Handys und Kameras
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Audio- und tragbare Sprecher
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Telekommunikation und Vernetzung
Beschreibung 3
Die LP2981- und LP2981A-Familien des Örtlich festgelegtertrages, Niedrigaustrittsregler bieten außergewöhnliche, kosteneffektive Leistung für die tragbaren und nicht- tragbaren Anwendungen an. Verfügbar in örtlich festgelegten Spannungen von 2,8 V, von 3 V, 3,3 V und 5 V, hat die Familie eine Ertragtoleranz von 0,75% für die Geräte der Kategorie A (1,25% für die handelsübliche Qualität) und ist zum Liefern des ununterbrochenen Stroms der Last 100-mA fähig. Standardreglereigenschaften, wie Überstrom und Übertemperaturschutz, sind eingeschlossen.
Die LP2981 und die LP2981A haben Eigenschaften, die die Regler ideale Kandidaten für eine Vielzahl von tragbaren Anwendungen machen:
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Niedriger Austritt: Ein PNP-Durchlaufelement erlaubt einen typischen Austritt von 200 Millivolt gegenwärtigen Last 100-mA und von 7 Millivolt an der an der Last 1-mA.
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Niedriger Ruhestrom: Der Gebrauch von einem vertikalen PNP-Prozess lässt Ruheströme zu, die beträchtlich niedriger als die sind, die mit traditionellen seitlichen PNP-Reglern verbunden sind.
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Abschaltung: Eine Abschaltungseigenschaft ist verfügbar und lässt den Regler nur 0,01 μA verbrauchen, wenn der AN/AUS-Stift niedrig gezogen wird.
Gerät-Informationen
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TEILNUMMER |
VERPACKEN SIE (STIFTE) |
KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
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LP2981-XXDBV LP2981A-XXDBV |
SOT-23 (5) |
2,90 Millimeter × 1,60 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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