LP5907MFX-1.8/NOPB LP5907UVC-1.2/NOPB LP5907UVX-1.8/NOPB Spannungs-Regler 250mA Energie-Weg-Management ICs LDO ultra--Lo
microchip battery management
,power management integrated circuit
LP5907MFX-1.8/NOPB LP5907UVC-1.2/NOPB LP5907UVX-1.8/NOPB Spannungs-Regler 250mA Energie-Weg-Management ICs LDO ultra--Lo
Eigenschaften 1
- Eingangsspannungsbereich: 2,2 V bis 5,5 V
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Ausgangsspannungs-Strecke: 1,2 V bis 4,5 V
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Stall mit 1 μF keramischen eingegebenen und Ertrag-Kondensatoren
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Kein Geräusch-Überbrückungs-Kondensator erforderte
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Fernausgabe-Kondensator-Platzierung
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Thermisch-Überlastung und Kurzschlusssicherung
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– 40°C zu funktionierender 125°C Grenzschichttemperatur
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Niedrige Ausgangsspannungs-Geräusche: < 6="">
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PSRR: 82dBat1kHz
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Ausgangsspannungs-Toleranz: ±2%
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Sehr niedriger IQ (ermöglicht): μA 12
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Niedriger Austritt: 120 Millivolt (typisch)
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Schaffen Sie kundenspezifisch anfertigen unter Verwendung des LP5907 mit dem WEBENCH®-Energie-Designer
2 Anwendungen
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Handys, Tablets
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Digitalkameras und Audiogeräte
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Tragbare und batteriebetriebene Ausrüstung
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Tragbare medizinische Ausrüstung
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Intelligente Meter und Feld-Übermittler
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Rf, PLL, VCO und Uhr-Stromversorgung
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IP-Kameras
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Brummen
Beschreibung 3
Das LP5907 ist ein lärmarmes LDO, das bis 250 MA Ausgangsstrom liefern kann. Entwarf, die Bedingungen von Rf und von analogen Stromkreisen zu erfüllen, liefert das Gerät LP5907 lärmarmes, hohes PSRR, niedrigen Ruhestrom und niedrige Linie oder lädt Übergangsfunktionszahlen. Unter Verwendung der neuen innovativen Entwurfstechniken bietet das LP5907 Klasse-führende Geräuschleistung ohne einen Geräuschüberbrückungskondensator und die Fähigkeit für Fernausgabekondensatorplatzierung an.
Das Gerät ist entworfen, um mit einem 1 μF Input und einem 1 keramischen Kondensator μF Ertrages (kein unterschiedlicher Geräuschüberbrückungskondensator wird angefordert) zu arbeiten.
Dieses Gerät ist mit örtlich festgelegten Ausgangsspannungen von 1,2 V für 4,5 V in den Schritten 25-mV verfügbar. Treten Sie mit Texas Instruments Sales für spezifischen Spannungswahlbedarf in Verbindung.
Gerät-Informationen
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TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE |
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LP5907 |
DSBGA (4) |
0,675 Millimeter × 0,675 Millimeter (max) |
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SOT-23 (5) |
2,90 Millimeter × 1,60 Millimeter (NOM) |
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X2SON (4) |
1,00 Millimeter × 1,00 Millimeter (NOM) |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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