Spitzen-Halbbrücke-Tor Dvr der LM5109BMAX-/NOPBenergie-Weg-Management IC-Tor-Fahrer-hallo Weinlese-1A
power management integrated circuit
,microchip battery management
Spitzen-Halbbrücke-Tor Dvr der LM5109BMAX-/NOPBenergie-Weg-Management IC-Tor-Fahrer-hallo Weinlese-1A
Eigenschaften 1
- Antriebe ein Hoch-seitiger und Niedrig-seitiger N-Kanal MOSFET
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Strom der Höchstleistungs-1-A (Wanne 1.0-A und Quelle 1.0-A)
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Input kompatibel mit unabhängigem TTL und CMOS
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Stiefelriemen-Versorgungs-Spannung zu DC 108-V
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Schnelle Ausbreitungs-Zeiten (30 ns typisch)
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Last der Antriebs-1000-pF mit 15 ns-Aufstieg und -Abfallzeiten
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Ausgezeichnetes Laufzeitverzögerungs-Zusammenbringen (2 ns typisch)
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Versorgungs-Schiene Undervoltage-Aussperrung
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Leistungsaufnahme der geringen Energie
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8-Pin SOIC und Thermisch-erhöhtes 8-Pin WSON Paket
2 Anwendungen
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Gegenwärtig-FED, Gegentaktkonverter
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Halb- und Vollbrücke-Leistungsverstärker
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Festkörpermotorantriebe
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Zwei-Schalter-Vorwärtsleistungsverstärker
Beschreibung 3
Das LM5109B-Gerät ist ein kosteneffektiver, Hochspannungstorfahrer, der entworfen ist, um die hoch-seitigen und niedrig-seitigen N-Kanal MOSFETs in einem synchronen Dollar oder in einer Halbbrückekonfiguration zu fahren. Der sich hin- und herbewegende hoch-seitige Fahrer ist zum Arbeiten mit Schienenspannungen bis 90 V. fähig. Die Ertrag werden unabhängig mit kosteneffektivem TTL und CMOS-kompatiblen Inputschwellen gesteuert. Die robuste waagerecht ausgerichtete Schiebetechnologie funktioniert an der hohen Geschwindigkeit beim Verbrauchen von geringer Energie und Lieferung von sauberen waagerecht ausgerichteten Übergängen von der Steuereinganglogik zum hoch-seitigen Torfahrer. Undervoltageaussperrung wird auf den niedrig-seitigen und hoch-seitigen Fahrleitungen zur Verfügung gestellt. Das Gerät ist im 8 Stift SOIC verfügbar und erhöhte thermisch 8 Pakete des Stift WSON.
Gerät-Informationen
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TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
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LM5109B |
SOIC (8) |
4,90 Millimeter × 3,91 Millimeter |
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WSON (8) |
4,00 Millimeter × 4,00 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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