Energie-Regler ICs LDO TLV70212DBVR TLV70215DBVR TLV70218DBVR TLV70228DBVR TLV70231DBVR TLV70233DBVR Spannungs-Regler
digital voltage regulator ic
,electronic voltage regulator circuit
Energie-Regler ICs LDO TLV70212DBVR TLV70215DBVR TLV70218DBVR TLV70228DBVR TLV70231DBVR TLV70233DBVR Spannungs-Regler
Eigenschaften 1
- niedriger Austritt:
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– 37mVatIOUT =50mA, VOUT =2.8V
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– 75mVatIOUT =100mA, VOUT =2.8V
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– 220mVatIOUT =300mA, VOUT =2.8V
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2% Genauigkeit
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Niedriger IQ: μA 35
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Örtlich festgelegt-Ertrag-Spannungs-Kombinationen möglich von 1,2 V zu 4,8 V
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Hohes PSRR: DB 68 bei 1 kHz
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Stall mit effektiver Kapazitanz von 0,1 μF (1)
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Thermischer Abschaltungs-und Überstrom-Schutz
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Pakete: 5-Pin SOT-23 und 1,5 Millimeter × 1,5 Millimeter, 6-Pin WSON
2 Anwendungen
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Drahtlose Hörer
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Intelligente Telefone
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ZigBee®-Netze
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Bluetooth-® Geräte
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Li-Ion Battery-Operated Handheld Products
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WLAN und andere PC Zusatzkarten
Beschreibung 3
Die Reihen TLV702 von linearen Reglern des Niedrigaustritts (LDO) sind niedrige Ruhestromgeräte mit ausgezeichneter vorübergehender Leistung der Linie und der Last. Dieses sind LDOs für macht-empfindliche Anwendungen bestimmt. Ein Präzisionsbandlücke- und -fehlerverstärker liefert Gesamt-2% Genauigkeit. Niedrige Ertraggeräusche, sehr hohes Stromversorgungsablehnungsverhältnis (PSRR) und Niedrigaustrittsspannung machen diese Reihe von den Geräten ideal für eine breite Auswahl der batteriebetriebenen Handausrüstung. Alle Gerätversionen haben thermische Abschaltung und Strombegrenzung zur Sicherheit.
Außerdem sind diese Geräte mit einer Ist-Leistungs-Kapazitanz von nur 0,1 μF stabil. Diese Eigenschaft ermöglicht dem Gebrauch der kosteneffektiven Kondensatoren, die höheren Vorspannungen und das Temperaturherabsetzen haben. Die Geräte regulieren sich zu spezifizierter Genauigkeit ohne Ertraglast.
Die TLV702P-Reihe liefert auch einen aktiven Abrissstromkreis, um die Ertrag schnell zu entladen.
Die Reihen TLV702 von linearen Reglern LDO sind in SOT23-5 und in 1,5 Millimeter × Pakete 1,5 Millimeter WSON-6 verfügbar.
Gerät-Informationen
TEILNUMMER | PAKET | KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
TLV702 | SOT-23 (5) | 2,90 Millimeter × 1,60 Millimeter |
WSON (6) | 1,50 Millimeter × 1,50 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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