Der Spannungs-Regler 500-mA LP5912-1.8DRVR Energie-Regler ICs LDO lärmarmer linearer Regler 6-WS des Niedrigaustritts NiedrigiQ (LDO)
digital voltage regulator ic
,electronic voltage regulator circuit
Der Spannungs-Regler 500-mA LP5912-1.8DRVR Energie-Regler ICs LDO lärmarmer linearer Regler 6-WS des Niedrigaustritts NiedrigiQ (LDO)
Eigenschaften 1
- Eingangsspannungsbereich: 1,6 V bis 6,5 V
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Ausgangsspannungs-Strecke: 0,8 V bis 5,5 V
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Ausgangsstrom bis 500 MA
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Niedrige Ausgangsspannungs-Geräusche: μVRMS 12 typisch
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PSRR bei 1 kHz: DB 75 typisch
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Ausgangsspannungs-Toleranz (VOUT-≥ 3,3 V): ±2%
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Niedriger IQ (ermöglicht, keine Last): μA 30 typisch
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Niedriger Austritt (VOUT-≥ 3,3 V): 95 Millivolt typisch an der Last 500-mA
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Stall mit 1 μF keramischen eingegebenen und Ertrag-Kondensatoren
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Thermisch-Überlastung und Kurzschlusssicherung
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Gegenwärtiger Rückschutz
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Kein Geräusch-Überbrückungs-Kondensator erforderte
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Ertrag-automatische Entladung für schnelle Ausschaltung
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Macht-guter Ertrag mit 140 μs typischer Verzögerung
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Interner Sanftanlauf, den Zustrom-Strom zu begrenzen
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– 40°C zur +125°C-Betriebsgrenzschichttemperatur-Strecke
2 Anwendungen
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Kamera-Module
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Sensoren
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Hifi Audioradiotransceivers
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PLL/Synthesizer, stoppend ab
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Medium-gegenwärtige, Geräusch-empfindliche Anwendungen
Beschreibung 3
Das LP5912 ist lärmarmes LDO, das bis 500 MA von Ausgangsstrom liefern kann. Entwarf, die Bedingungen von Rf zu erfüllen und analoge Stromkreise, das Gerät LP5912 liefert lärmarmes, hohes PSRR, niedrigen Ruhestrom und niedrige Übergangsfunktion der Linie und der Last. Das LP5912 bietet Klasse-führende Geräuschleistung ohne einen Geräuschüberbrückungskondensator und mit der Fähigkeit für Fernausgabekapazitanzplatzierung an.
Das Gerät ist entworfen, um mit einem 1 μF Input und einem 1 keramischen Kondensator μF Ertrages (kein unterschiedlicher Geräuschüberbrückungskondensator erfordert) zu arbeiten.
Dieses Gerät ist mit örtlich festgelegten Ausgangsspannungen von 0,8 V für 5,5 V in den Schritten 25-mV verfügbar. Treten Sie mit Texas Instruments Sales für spezifischen Spannungswahlbedarf in Verbindung.
Gerät-Informationen
TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
LP5912 |
WSON (6) |
2,00 Millimeter × 2,00 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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