TLC277IDR-verdoppeln Audioendverstärker IC-Präzisions-Verstärker Präzisions-einzelne Versorgung
digital audio amplifier ic
,audio preamplifier ic
TLC277IDR-verdoppeln Audioendverstärker IC-Präzisions-Verstärker Präzisions-einzelne Versorgung
Beschreibung (fortgesetzt)
TA |
VIOmax BEI°C 25 |
VERPACKTE GERÄTE |
CHIP-FORM (Y) |
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KLEINER ENTWURF (D) |
CHIP-CARRIER (FK) |
KERAMISCHES BAD (JG) |
PLASTIKbad (P) |
TSSOP (PW) |
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0°C zu 70°c |
500 μV 2 Millivolt 5 Millivolt 10mV |
TLC277CD TLC272BCD TLC272ACD TLC272CD |
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TLC277CP TLC272BCP TLC272ACP TLC272CP |
— |
— |
– 40°C zu 85°C |
500 μV 2 Millivolt 5 Millivolt 10 Millivolt |
TLC277ID TLC272BID TLC272AID TLC272ID |
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TLC277IP TLC272BIP TLC272AIP TLC272IP |
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Das d-Paket ist verfügbares aufgenommen und gewirbelt. Fügen Sie r-Suffix dem Einheitentyp hinzu (z.B., TLC277CDR).
Im allgemeinen sind viele Eigenschaften, die mit zweipoliger Technologie verbunden sind, auf LinCMOS- Operationsverstärkern ohne die Energiestrafen der zweipoligen Technologie verfügbar. Allgemeine Anwendungen wie Wandlerzusammenschaltung, analoge Berechnungen, Verstärkerblöcke, aktive Filter und Signalpufferbetrieb sind leicht mit dem TLC272 und dem TLC277 entworfen. Die Geräte weisen auch die Niederspannungseinzelversorgungsoperation auf und machen sie ideal entsprochen für die Fern- und unzugänglichen batteriebetriebenen Anwendungen. Der Gleichtakteingangsspannungsbereich umfasst die negative Schiene.
Eine breite Palette von Verpackenwahlen ist, einschließlich Klein-entwurfs- und Chip-Carrier-Versionen für Systemanwendungen mit hoher Dichte verfügbar.
Der Gerätinput und -ertrag sind entworfen, um – Überspannungen 100-mA ohne Stützungssperrung zu widerstehen.
Die TLC272 und die TLC277 enthalten interne ESD-Schutzstromkreise, die Funktionsausfälle an den Spannungen bis zu 2000 V verhindern, das so unter MIL-STD-883C geprüft wird, Methode 3015,2; jedoch sollte Sorgfalt ausgeübt werden, wenn man diese Geräte als Aussetzung zu ESD behandelt, ergibt möglicherweise die Verminderung der parametrischen Leistung des Gerätes.
Die C-Suffixgeräte werden für Operation von 0°C zu 70°C. gekennzeichnet. Die Ich-Suffixgeräte werden für Operation von – 40°C zu 85°C. gekennzeichnet. Die M-Suffixgeräte werden für Operation über der vollen Militärtemperaturspanne – 55°C zu 125°C. gekennzeichnet.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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