Chip Partial Power Down Mode-Operation integrierter Schaltung TXS0102DCUR zwei gebissene nicht Umwandlungs
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
TXS0102DCUR programmierbarer Logik bidirektionaler Spannung-Niveau-Transport ICS-Spannungspegel-2-Bit
Eigenschaften 1
- Kein Richtung-Steuerungs-Signal brauchte
- Maximale Datenraten
- – 24 Mbps (Gegentakt)
- – 2 Mbps (offener Abfluss)
- Verfügbar im Paket Texas Instrumentss NanoStarTM
- Hafen 1.65Vto3.6VonAPortand2.3Vto5.5VonB (VCCA-≤ VCCB)
- VCC Isolierungs-Eigenschaft: Wenn jeder Input VCC an Boden ist, sind beide Häfen im hochohmigen Zustand
- Kein Stromversorgungs-Der Reihe nach ordnen erforderlich: Entweder VCCA oder VCCB können zuerst erhöht werden
- Ioff stützt Teilweis-Energie--Untenmodus-Operation
- Sperrungs-Leistung übersteigt 100 MA pro JESD 78, Klasse II
2 Anwendungen
-
I2C / SMBus
-
UART
-
GPIO
Beschreibung 3
Dieser nicht-Umwandlungsübersetzer des Zweistückchen ist ein bidirektionaler Spannungshöhen-Übersetzer und kann verwendet werden, um Kompatibilität digitalen Schaltens zwischen Misch-spannungssystemen herzustellen. Sie benutzt zwei verschiedene konfigurierbare Stromversorgungsschienen, wenn den a-Häfen, die Funktionierenspannungen von 1,65 V zu 3,6 V, während sie aufspürt die VCCA-Versorgung und die stützen, b-Häfen Funktionierenspannungen von 2,3 V zu 5,5 V stützen, während sie aufspürt die VCCB-Versorgung. Dieses erlaubt die Unterstützung von unteren und höheren Logik-Signal-Niveaus bei der Lieferung von bidirektionalen Übersetzungsfähigkeiten zwischen irgendwelchen von Knoten der Spannung 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V und 5-V.
Wenn Ertrag-ermöglichen Sie, Input (OE) ist, alles I/Os wird gelegt in den hochohmigen Zustand niedrig, der erheblich den Stromversorgungsruhestromverbrauch verringert.
Um den hochohmigen Zustand während der Energie herauf oder der Energie sicherzustellen unten, sollte OE an Boden durch einen Abrisswiderstand gebunden werden; der Minimalwert des Widerstandes wird durch die Gegenwärtigauftretenfähigkeit des Fahrers bestimmt.
Gerät-Informationen
TEILNUMMER | PAKET | KÖRPER-GRÖSSE (NOM) |
TXS0102DCT | SSOP (8) | 2,95 Millimeter × 2,80 Millimeter |
TXS0102DCU | VSSOP (8) | 2,30 Millimeter × 2,00 Millimeter |
TXS0102DQE | X2SON (8) | 1,40 Millimeter × 1,00 Millimeter |
TXS0102DQM | X2SON (8) | 1,80 Millimeter × 1,20 Millimeter |
TXS0102YZP | DSBGA (8) | 1,90 Millimeter × 0,90 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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