IC-Sensor-Schnittstellen-Sensor-Signalformung IC Schnittstelle DRV411AIPWPR UART
uart multiplexer ic
,uart level shifter ic
IC-Sensor-Schnittstellen-Sensor-Signalformung IC Schnittstelle DRV411AIPWPR UART
EIGENSCHAFTEN
- Optimiert für symmetrische Hall-Elemente
(zum Beispiel, AKM HW-322, HW-302 oder Ähnliches)
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Spinnender gegenwärtiger Hall Sensor Excitation
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– Beseitigung von Hall Sensor Offset und von Antrieb
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– Beseitigung von Geräuschen 1/f
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Ausgedehnte Strommessungs-Strecke
– H-Brücken-Treibereigenschaften: 250 MA
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Präzisions-Unterschied-Verstärker:
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– Ausgleich und Antrieb: μV 100 (maximal), 2 μV/°C (maximal)
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– System-Bandbreite: 200 kHz
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Präzisions-Hinweis:
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– Genauigkeit: 0,2% (maximal)
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– Antrieb: 50 ppm/°C (maximal)
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– Pin-auswählbar für 2,5 V, 1,65 V und Ratiometric Modus
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Overrange und Fehler-Flaggen
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Versorgung: 2,7 V bis 5,5 V
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Pakete: 4 Millimeter × 4 Millimeter QFN und TSSOP-20 PowerPADTM
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Temperaturspanne: – 40°C zu +125°C
ANWENDUNGEN
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Regel-Gegenwärtig-Sensor-Module
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DC- und Wechselstrom-Strommessung
BESCHREIBUNG
Das DRV411 ist entworfen, um Elemente InSb Hall für Gebrauch in den Regel-gegenwärtigsensor-Modulen zu bedingen. Das DRV411 stellt Präzisionserregungsschaltkreis für das Hall-Element zur Verfügung, das effektiv den Ausgleich und den Ausgleichantrieb des Hall-Elements beseitigt. Dieses Gerät stellt auch eine H-Brücke 250-mA für die Sensor-Ausgleichsspule auch fahren ein Differenzialverstärker der Präzision, um das Ausgangssignal zu erzeugen zur Verfügung. Die 250-mA Treibereigenschaften der H-Brücke verdoppeln ungefähr die Strommessungsstrecke, die mit herkömmlichen unsymmetrischen Antriebsmethoden verglichen wird.
Der Hall-Sensor-Vorderseitenstromkreis und der Differenzialverstärker den eigenen Ausgleich einsetzen, der Techniken annulliert. Diese Techniken, zusammen mit einer hoch- Genauigkeitsreferenzspannung, die Genauigkeit des Gesamt-gegenwärtigsensor-Moduls erheblich verbessern. Die Ausgangsspannung ist Stift-auswählbar, einen Ertrag 2.5-V für Gebrauch mit einer Stromversorgung 5-V sowie 1.65-V für Sensoren 3.3-V zu stützen.
Für optimale Wärmeableitung ist das DRV411 verfügbar, in thermisch erhöht 4 Millimeter × 4 Millimeter QFN und TSSOP-20 mit PowerPAD-Paketen. Das DRV411 wird für Operation über der vollen ausgedehnten industriellen Temperaturspanne – 40°C zu +125°C. spezifiziert.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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