CSD19532Q5B Mosfet-Leistungstransistor 100V 4,0 MOhm N-Ch NexFET
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET Energie N-Ch NexFET mOhm CSD19532Q5B Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 100V 4,0
Eigenschaften 1
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Niedriger thermischer Widerstand
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Lawine veranschlagt
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Pb-freier Terminalüberzug
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RoHS konform
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Halogen frei
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SOHN 5 Millimeter × 6-Millimeter-Plastikpaket
2 Anwendungen
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Synchroner Gleichrichter für Offline- und lokalisierte DC-DC-Konverter
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Motorsteuerung
Beschreibung 3
Dieses 100 V, 4 mΩ, SOHN MOSFET Energie 5 Millimeter-× 6 Millimeter NexFETTM ist entworfen, um Verluste in den Energieaufbereitungsanwendungen herabzusetzen.
Produkt-Zusammenfassung
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TA = 25°C |
TYPISCHER WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
100 |
V |
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Qg |
Tor-Gebührensumme (10 V) |
48 |
nC |
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Qgd |
Tor-Gebührentor zum abzulassen |
8,7 |
nC |
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RDS (an) |
Abfluss-zu-Quelle auf Widerstand |
VGS = 6 V |
4,6 |
mΩ |
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VGS =10V |
4 |
mΩ |
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VGS (Th) |
Schwellen-Spannung |
2,6 |
V |
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Einrichtungs-Informationen (1)
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Gerät |
Medien |
Menge |
Paket |
Schiff |
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CSD19532Q5B |
13 Zoll Spule |
2500 |
SOHN 5 x 6-Millimeter-Plastikpaket |
Band und Spule |
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CSD19532Q5BT |
13 Zoll Spule |
250 |
Absolute Maximalleistungen
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TA = 25°C |
WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
100 |
V |
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VGS |
Tor-zu-Quellspannung |
±20 |
V |
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Identifikation |
Ununterbrochener Abfluss-Strom (Paket begrenzt) |
100 |
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Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silikon begrenzt), TC = 25°C |
140 |
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Ununterbrochener Abfluss-Strom (1) |
17 |
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IDM |
Pulsierter Abfluss-Strom (2) |
400 |
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PD |
Verlustleistung (1) |
3,1 |
W |
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Verlustleistung, TC = 25°C |
195 |
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TJ, Tstg |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich |
– 55 bis 150 |
°C |
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EAS |
Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation =74A, L=0.1mH, RG =25Ω |
274 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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