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Mosfet-Transistor Kanal 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-23-3 (TO-236) des N-Kanal-60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) der Oberflächen-
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Produktart:
MOSFET
Unterkategorie:
MOSFETs
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
7,5 Ohm
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
1 V
Höhepunkt:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Einleitung

Leistungstransistor MOSFET 60V 115mA Mosfet-2N7002LT1G N-Kanal

Eigenschaften

• Präfix 2V für die Automobil- und anderen Anwendungen, die einzigartige Standort-und Steueränderungs-Anforderungen erfordern; AEC−Q101 qualifizierte und fähiges PPAP (2V7002L)

• Diese Geräte sind Pb−Free, das Halogen Free/BFR, das frei ist und sind konformes RoHS

MAXIMALLEISTUNGEN

Bewertung

Symbol

Wert

Einheit

Drain−Source-Spannung

VDSS

60

VDC

Drain−Gate-Spannung (RGS = 1,0 MW)

VDGR

60

VDC

Lassen Sie gegenwärtiges ab
− ununterbrochen TC = 25°C (Anmerkung 1) − ununterbrochen TC = 100°C (Anmerkung 1) − pulsiert (Anmerkung 2)

Identifikation

IDENTIFIKATION IDM

± 115 ± 75 ± 800

mAdc

Gate−Source-Spannung
− ununterbrochen
− Non−repetitive (TP-≤ 50 Frau)

VGS VGSM

± 20 ± 40

VDC Vpk

THERMISCHE EIGENSCHAFTEN

Eigenschaft

Symbol

Maximal

Einheit

Gesamtbrett der gerät-Ableitungs-FR−5 (Anmerkung 3) TA = 25°C
Setzen Sie über 25°C herab

Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient

PD RqJA

225 1,8 556

mW mW/°C °C/W

Gesamtgerät-Ableitung
(Anmerkungs-setzen 4) Tonerde-Substrat, TA = 25°C über 25°C herab

Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient

PD RqJA

300 2,4 417

mW mW/°C °C/W

Kreuzung und Lagertemperatur

TJ, Tstg

− 55 bis +150

°C

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