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BAS516,115 75V 250MA HS Mosfet-Leistungstransistor-Dioden-universeller Energie-Schaltung Schalter

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
DIODE, SCHALTUNG, 250MA, 75V, SO
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Contact us
Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Verpacken:
Schneiden Sie Band
Marke:
Nexperia
Produktart:
Dioden - universeller Zweck, Energie, Schaltung
Unterkategorie:
Dioden u. Gleichrichter
Ir - Rückstrom:
1 MA
Vf - Vorwärtsspannung:
1,25 V
Höhepunkt:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

Einleitung

Leistungstransistor-Dioden Mosfet-BAS516,115 - universeller Zweck, Energie, Schaltung Schalter 75V 250MA HS

Eigenschaften und Nutzen

hohe Schaltverzögerung des : trr 4 ns

niedriges Durchsickern des gegenwärtig

sich wiederholende Höchstsperrspannung:

VRRM- 100 V

AEC-Q101 qualifizierte

Anwendungen

hochgeschwindigkeitsschaltung
universelle Schaltung des

Einrichtungsinformationen

Art Zahl

Paket

Name

Beschreibung

Version

BAS16

TO-236AB

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 3 Führungen

SOT23

BAS16H

-

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 2 Führungen

SOD123F

BAS16J

SC-90

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 2 Führungen

SOD323F

BAS16L

DFN1006-2

nicht bleihaltiges ultra kleines Plastikpaket; 2 Anschlüsse;  0.6  des Körpers 1,0 0,5 Millimeter

SOD882

BAS16T

SC-75

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 3 Führungen

SOT416

BAS16VV

-

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 6 Führungen

SOT666

BAS16VY

SC-88

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 6 Führungen

SOT363

BAS16W

SC-70

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 3 Führungen

SOT323

BAS316

SC-76

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 2 Führungen

SOD323

BAS516

SC-79

Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket; 2 Führungen

SOD523

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