Niedrige einzelne Konfiguration Widerstand CSD13381F4 Mosfet-Leistungstransistor-N-CH Pwr
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Leistungstransistor MOSFET 12V N-CH Pwr Mosfet-CSD13381F4 MOSFET
Eigenschaften 1
- Niedriger Auf-Widerstand
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Niedriges Qg und Qgd
-
Niedrige Schwellen-Spannung
-
Ultra-kleiner Abdruck (0402 Fall-Größe)
– 1.0mm×0.6mm
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Ultra-niedriges Profil
– 0,35 Millimeter Höhe
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Integrierte ESD-Schutz-Diode
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– Bewertetes >4 KV HBM
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– Bewertetes >2 KV CDM
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Führung und Halogen frei
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RoHS konform
2 Anwendungen
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Optimiert für Lasts-Schalter-Anwendungen
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Optimiert für universelle zugeschaltete Anwendungen
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Einzellige Batterie-Anwendungen
-
Hand- und bewegliche Anwendungen
Beschreibung 3
Dieses 140 mΩ, 12 v-N-Kanal FemtoFETTM MOSFET-Technologie ist entworfen und optimiert, um den Abdruck in vielen Hand- und beweglichen Anwendungen herabzusetzen. Diese Technologie ist zum Ersetzen von differenziellen StandardmOSFETs bei der Lieferung mindestens einer 60% Reduzierung in der Abdruckgröße fähig.
Produkt-Zusammenfassung
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TA = 25°C |
TYPISCHER WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
12 |
V |
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Qg |
Tor-Gebührensumme (4,5 V) |
1060 |
PC |
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Qgd |
Tor-Gebührentor-zu-abfluß |
140 |
PC |
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RDS (an) |
Abfluss-zu-Quellauf-widerstand |
VGS = 1,8 V |
310 |
mΩ |
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VGS = 2,5 V |
170 |
mΩ |
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VGS = 4,5 V |
140 |
mΩ |
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VGS (Th) |
Schwellen-Spannung |
0,85 |
V |
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Einrichtungs-Informationen
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Gerät |
Menge |
Medien |
Paket |
Schiff |
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CSD13381F4 |
3000 |
7 Zoll Spule |
Femto (0402) 1,0 Millimeter x 0,6 Millimeter SMD-Führung weniger |
Band und Spule |
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CSD13381F4T |
250 |
Absolute Maximalleistungen
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TA = 25°C wenn nicht anders festgelegt |
WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
12 |
V |
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VGS |
Tor-zu-Quellspannung |
8 |
V |
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Identifikation |
Ununterbrochener Abfluss-Strom, TA = 25°C (1) |
2,1 |
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IDM |
Pulsierter Abfluss-Strom, TA = 25°C (2) |
7 |
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IG |
Ununterbrochener Tor-Klammern-Strom |
35 |
MA |
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Impulstor-Klammern-Strom (2) |
350 |
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PD |
Verlustleistung (1) |
500 |
mW |
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Esd-Bewertung |
Menschlicher Körper-Modell (HBM) |
4 |
KV |
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Belastetes Gerät-Modell (CDM) |
2 |
KV |
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TJ, Tstg |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich |
– 55 bis 150 |
°C |
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EAS |
Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation = 7,4 A, L=0.1mH, RG =25Ω |
2,7 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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