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CSD18504Q5A N Channel Mos Field Effect Transistor 6.6 MOhms Logic Level RoHS Compliant

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Kanal-Modus:
Verbesserung
Konfiguration:
Einzeln
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
Transistor-Polarität:
N-Kanal
N-Kanal:
6,6 mOhms
Höhepunkt:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Einleitung

NexFET-Energie MOSFET N-Kanal CSD18504Q5A Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 40V

Eigenschaften 1

  • Ultra-niedriges Qg und Qgd
  • Niedriger thermischer Widerstand

  • Lawine veranschlagt

  • Logischer Zustand

  • Pb-freier Terminalüberzug

  • RoHS konform

  • Halogen frei

  • SOHN 5 Millimeter × 6-Millimeter-Plastikpaket

2 Anwendungen

  • DC-DC Umwandlung

  • Sekundärsynchroner Seitengleichrichter

  • Batterie-Motorsteuerung

Beschreibung 3

Dieses 5,3 mΩ, SOHN 5 × 6 Millimeter, MOSFET Energie 40 V NexFETTM ist entworfen, um Verluste in den Energieaufbereitungsanwendungen herabzusetzen.

Produkt-Zusammenfassung

TA = 25°C

TYPISCHER WERT

EINHEIT

VDS

Abfluss-zu-Quellspannung

40

V

Qg

Tor-Gebührensumme (4,5 V)

7,7

nC

Qgd

Tor-Gebührentor-zu-abfluß

2,4

nC

RDS (an)

Abfluss-zu-Quellauf-widerstand

VGS = 4,5 V

7,5

VGS =10V

5,3

VGS (Th)

Schwellen-Spannung

1,9

V

Einrichtungs-Informationen

Gerät

Menge

Medien

Paket

Schiff

CSD18504Q5A

2500

13 Zoll Spule

SOHN 5 Millimeter × 6-Millimeter-Plastikpaket

Band und Spule

CSD18504Q5AT

250

7 Zoll Spule

Absolute Maximalleistungen

TA = 25°C

WERT

EINHEIT

VDS

Abfluss-zu-Quellspannung

40

V

VGS

Tor-zu-Quellspannung

±20

V

Identifikation

Ununterbrochener Abfluss-Strom (Paket begrenzt)

50

Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silikon begrenzt), TC = 25°C

75

Ununterbrochener Abfluss-Strom (1)

15

IDM

Pulsierter Abfluss-Strom (2)

275

PD

Verlustleistung (1)

3,1

W

Verlustleistung, TC = 25°C

77

TJ, Tstg

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich

– 55 bis 150

°C

EAS

Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation =43A, L=0.1mH, RG =25Ω

92

mJ

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