Mosfet-Leistungstransistor Doppel-30V N-CH NexFET Pwr Kanal CSD87312Q3E 2 MOSFETs
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Doppel-30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs CSD87312Q3E Mosfet-Leistungstransistor MOSFET
EIGENSCHAFTEN
- CommonSourceConn-ection
- Ultr ein L Abfluss O w, zum des Auf-Widerstands abzulassen
- Raumersparnis SOHN 3,3 x 3.3mm Plastikpaket
- Optimiert für Antrieb des Tor-5V
- Niedriger thermischer Widerstand
- Lawine veranschlagt
- Pb-freier Terminalüberzug
- RoHS konform
- Halogen freie ANWENDUNGEN
ANWENDUNGEN
- Adaptor-/USBeingangsschutz für Notizbuch
- PC und Tablets
PRODUKT-ZUSAMMENFASSUNG
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TA = 25°C |
TYPISCHER WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Lassen Sie zur Quellspannung ab |
30 |
V |
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Qg |
Tor-Gebührensumme (4.5V) |
6,3 |
nC |
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Qgd |
Tor-Gebührentor zum abzulassen |
0,7 |
nC |
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RDD (an) |
Lassen Sie ab, um auf Widerstand (Q1+Q2) abzulassen |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
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VGS = 8V |
27 |
mΩ |
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VGS (Th) |
Schwellen-Spannung |
1,0 |
V |
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EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
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Gerät |
Paket |
Medien
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Menge |
Schiff |
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CSD87312Q3E |
SOHN 3,3 x 3.3mm Plastikpaket |
13-in ch-Spule |
2500 |
Band und Spule |
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN
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TA = 25°C |
WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Lassen Sie zur Quellspannung ab |
30 |
V |
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VGS |
Tor zur Quellspannung |
+10/-8 |
V |
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Identifikation |
(1) ununterbrochener Abfluss-Strom, TC = 25°C |
27 |
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IDM |
Pulsierter Abfluss-Strom (2) |
45 |
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PD |
Verlustleistung |
2,5 |
W |
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TJ, TSTG |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich |
– 55 bis 150 |
°C |
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EAS |
Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation =24A, L=0.1mH, RG =25Ω |
29 |
mJ |
BESCHREIBUNG
Das CSD87312Q3E ist eine 30V Allgemeinquelle, das Doppeln-kanalgerät, das für adaptor-/USBeingangsschutz bestimmt ist. Dieser SOHN 3,3 x 3.3mm das Gerät hat den niedrigen Abfluss, zum des Aufwiderstands abzulassen, der Verluste herabsetzt und niedrige Teilzählung für Raum begrenzte Multizellbatterieaufladungsanwendungen anbietet.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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