FDMC6679AZ RoHS konformer Kanal-Energie-Graben Mosfet-Leistungstransistor--30V P
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Stückgewicht:
0,005832 Unze
Produktart:
MOSFET
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
Konfiguration:
Einzeln
PD - Verlustleistung:
41 W
Höhepunkt:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Einleitung
P-Kanal-Energie-Graben FDMC6679AZ Mosfet-Leistungstransistor MOSFET -30V
Eigenschaften
- Maximales mΩ 10 RDS (an) = an VGS = -10 V, Identifikation = -11,5 A
- Maximal r = mΩ 18 an V = -4,5 V, ich = -8,5 ein DS (auf) GS D
- Schutzniveau HBMs ESD von 8 KV typisch (Anmerkung 3)
- Ausgedehnte VGSS-Strecke (- 25 V) für Batterieanwendungen
- Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (an)
- Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit
- Konform die Beendigung ist bleifrei und RoHS
Allgemeine Beschreibung
Das FDMC6679AZ ist entworfen worden, um Verluste in den Lastsschalteranwendungen herabzusetzen. Förderungen in den Silikon- und Pakettechnologien sind kombiniert worden, um das niedrigste RDS (an) und ESD-Schutz anzubieten.
Anwendungen
- Lasts-Schalter im Notizbuch und im Server
- Notizbuch-Batterie-Satz-Energie-Management
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