Fahrer-Circuit Using Transistors 100V Mosfet-FDMS3662 N-Kanal PowerTrench
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 100 V 8.9A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Berg 8-PQFN (5x6) der Oberflächen-
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Stückgewicht:
0,002402 Unze
Produktart:
MOSFET
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 155 C
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
mOhms 14,8
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Höhepunkt:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Einleitung
Leistungstransistor MOSFET 100V Mosfet-FDMS3662 N-Kanal PowerTrench
Eigenschaften
- Maximales RDS (an) = 14.8mΩ an VGS = 10V, Identifikation = 8.9A
- Moderne Paket- und Silikonkombination für niedriges RDS (an)
- Robuste MSL1 Verpackungsgestaltung
- 100% UIL geprüft
- RoHS konform
Allgemeine Beschreibung
Dieser N-Kanal MOSFET wird unter Verwendung die Energie-Graben ® Prozesses Fairchild-Halbleiters modernen, der besonders hergestellt worden ist, um den Durchlasswiderstand herabzusetzen, und doch überlegene, zugeschaltete Leistung beizubehalten produziert.
Anwendung
- DC - DC-Umwandlung
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