FDV301N Digital Mosfet-Leistungstransistor N-Ch AUF dem Halbleiter 25 V 0,22 A ununterbrochen
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-23-3 des N-Kanal-25 V 220mA (Ta) der Oberflächen-350mW (Ta)
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Stückgewicht:
0,001093 oz
Produktart:
MOSFET
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
Hersteller:
AUF Halbleiter
Produkt-Kategorie:
MOSFET
Höhepunkt:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Einleitung
FDV301N Mosfet-Leistungstransistor MOSFET N-Ch Digital
Eigenschaften
- 25 V, 0,22 A ununterbrochen, 0,5 a-Spitze. RDS (AN) =5Ω@VGS=2.7V
- RDS (AN) = 4 Ω @ VGS= 4,5 V.
- niedriges Tor-Antriebsanforderungsgewähren direkt
- Operation in den Stromkreisen 3V. VGS (Th) < 1="">
- Tor-Quelle Zener für ESD-Rauheit. Menschlicher Körper-Modell >6kV
- Ersetzen Sie mehrfache digitale Transistoren NPN durch einen DMOS FET.
Allgemeine Beschreibung
Dieser Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor des N-Kanallogischen zustandes wird unter Verwendung eigenen Fairchild, hohe Zelldichte, DMOS-Technologie produziert. Dieser sehr Prozess mit hoher Dichte wird besonders hergestellt, um Durchlasswiderstand herabzusetzen. Dieses Gerät ist besonders für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für digitale Transistoren bestimmt worden. Da Neigungswiderstände nicht angefordert werden, kann dieser ein N-Kanal FET einige verschiedene digitale Transistoren, durch verschiedene Werte des schrägen Widerstandes ersetzen.
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