FDPF045N10A 100V Kanal-schnelle Schaltverzögerungs-niedriger Tor-Vorwurf Mosfet-Leistungstransistor-N
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) durch Loch TO-220F-3
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Stückgewicht:
0,080072 Unze
Produktart:
MOSFET
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 175 C
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
4,5 mOhms
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
67 A
Höhepunkt:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Einleitung
PowerTrench N-Kanal FDPF045N10A Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 100V MOSFET
Eigenschaften
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RDS (an) =3.7mΩ (Art.) @VGS =10V, Identifikation =67A
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Schnelle Schaltverzögerung
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Niedrige Tor-Gebühr, QG = 57 nC (Art.)
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Hochleistungs-Graben-Technologie für extrem - niedriges RDS (an)
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Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit
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RoHS konform
Beschreibung
Dieser N-Kanal MOSFET wird unter Verwendung Fairchild Semiconductor®s Vor-PowerTrench®-Prozesses produziert, der hergestellt worden ist, um den Durchlasswiderstand herabzusetzen, während ing überlegene zugeschaltete Leistung beibehalten Sie.
Anwendungen
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Synchrone Korrektur für ATX/Server/Telekommunikation P.S.
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Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen
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Mikrosolarinverter
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