Hochspannungsleistungstransistor NCh PowerTrench mosfet-FDT3612 einzelne Konfiguration
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-223-4 des N-Kanal-100 V 3.7A (Ta) der Oberflächen-3W (Ta)
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Stückgewicht:
0,003951 Unze
Produktart:
MOSFET
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
Konfiguration:
Einzeln
Kanal-Modus:
Verbesserung
Höhepunkt:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Einleitung
Leistungstransistor MOSFET 100V NCh PowerTrench Mosfet-FDT3612
Allgemeine Beschreibung
Dieser N-Kanal MOSFET ist speziell entworfen worden, um den Gesamtwirkungsgrad von DC-/DCkonvertern entweder unter Verwendung der synchronen oder herkömmlichen Prüfer der Schaltung PWM zu verbessern.
Diese MOSFETs kennzeichnen schnellere Schaltung und untere Torgebühr als andere MOSFETs mit vergleichbaren Spezifikationen RDS (AN). Das Ergebnis ist Entwürfe einer MOSFET, der einfach und sicherer zu fahren (sogar an den Kurzwellen) ist, und DC/DC Stromversorgung mit höherem Gesamtwirkungsgrad.
Anwendungen
• DC/DCconverter
• Motordriving
Eigenschaften
- 3.7A, 100V. RDS (AN) =120MΩ@VGS =10V RDS (AN) =130MΩ@VGS =6V
- Fastswitchingspeed
- Lowgatecharge (14nCtyp)
- Highperformancetrenchtechnologyforextremely niedriges RDS (AN)
- Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit in einem weitverbreiteten Oberflächenbergpaket
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