Mosfet-Fahrer Circuit, Energie-Schalttransistor PowerTrench Kanal FDMS6681Z P
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
P-Kanal 30 V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Berg 8-PQFN (5x6) der Oberflächen-
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Stückgewicht:
0,002402 Unze
Produktart:
MOSFET
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
PD - Verlustleistung:
2,5 W
Verpacken:
Schneiden Sie Band
Höhepunkt:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Einleitung
P-Kanal PowerTrench FDMS6681Z Mosfet-Leistungstransistor MOSFET -30V
Eigenschaften
- Maximales mΩ 3,2 RDS (an) = an VGS = -10 V, Identifikation = -21,1 A
- MaxrDS (an) =5.0mΩatVGS =-4.5V, Identifikation =-15.7A
-
Moderne Paket- und Silikonkombination für niedriges RDS (an)
-
Schutz-Niveau HBMs ESD von 8kV typisch (Anmerkung 3)
-
Robuste MSL1 Verpackungsgestaltung
-
RoHS konform
Allgemeine Beschreibung
Das FDMS6681Z ist entworfen worden, um Verluste in den Lastsschalteranwendungen herabzusetzen. Förderungen in den Silikon- und Pakettechnologien sind kombiniert worden, um das niedrigste RDS (an) und ESD-Schutz anzubieten.
Anwendungen
- Lasts-Schalter im Notizbuch und im Server
- Notizbuch-Batterie-Satz-Energie-Management
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