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MMSZ5241BT1G Mosfet-Leistungstransistor-Zenerdioden 11V 500mW

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Hersteller Kit:
AUF Halbleiter
Befestigung von Art:
SMD/SMT
Paket/Fall:
SOD-123-2
PD - Verlustleistung:
500 mW
Spannungs-Toleranz:
5%
Zener-Strom:
2 MA
Höhepunkt:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Einleitung

MMSZ5241BT1G Mosfet-Leistungstransistor-Zenerdioden 11V 500mW

Eigenschaften

• 500 mW-Bewertung auf Brett FR−4 oder FR−5
• Breites Zener-Sperrspannungs-Strecke − 2,4 V bis Thermal mit 110 V @

Equilibrium*
• Paket konzipiert für optimale automatisierte Brett-Versammlung
• Päckchen-Größe für Anwendungen mit hoher Dichte
• Universeller, mittlerer Strom
• Esd-Bewertung von Klasse 3 (> 16 KV) pro menschlicher Körper-Modell
• SZ-Präfix für das Automobil- und andere Anwendungs-Erfordern einzigartig

Standort und Steueränderungs-Anforderungen; AEC−Q101 qualifizierte und

PPAP fähig
• Diese sind Pb−Free Devices*

MAXIMALLEISTUNGEN

Bewertung

Symbol

Maximal

Einheiten

Gesamtleistungs-Ableitung auf Brett FR−5, (Anmerkung 1) @ Zeitlimit = 75°C
Herabgesetzt über 75°C

PD

500 6,7

mW mW/°C

Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient (Anmerkung 2)

RqJA

340

°C/W

Thermischer Widerstand, Junction−to−Lead (Anmerkung 2)

RqJL

150

°C/W

Kreuzung und Lagertemperaturbereich

TJ, Tstg

−55 bis +150

°C

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